[發(fā)明專(zhuān)利]一種雙應(yīng)力薄膜的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210098206.3
• 申請(qǐng)日: 2012-04-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102637590A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張文廣;陳玉文
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/318
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/318;H01L21/8238
• 代理公司: 上海新天專(zhuān)利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種雙應(yīng)力薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：在一包含有NMOS和PMOS的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上沉積摻氮的碳化硅薄膜；

步驟S2：采用光刻工藝于PMOS上形成第一光阻，并以該第一光阻為掩膜對(duì)覆蓋在NMOS上的摻氮的碳化硅薄膜進(jìn)行UV光照射，形成覆蓋在NMOS上的高拉應(yīng)力薄膜；

步驟S3：去除所述第一光阻后，再次采用光刻工藝于NMOS上形成第二光阻，并以該第二光阻為掩膜對(duì)覆蓋在PMOS上的摻氮的碳化硅薄膜進(jìn)行等離子轟擊工藝，去除所述第二光阻，形成覆蓋在PMOS上的壓應(yīng)力薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙應(yīng)力薄膜的制備方法，其特征在于，所述包含有NMOS和PMOS的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含有柵極和側(cè)墻，所述摻氮的碳化硅薄膜覆蓋在所述柵極和側(cè)墻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙應(yīng)力薄膜的制備方法，其特征在于，所述摻氮的碳化硅薄膜的介電常數(shù)小于5。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的雙應(yīng)力薄膜的制備方法，其特征在于，采用惰性氣體等離子進(jìn)行所述等離子轟擊工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求43所述的雙應(yīng)力薄膜的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體等離子為Ar離子。