[發明專利]用于斜切塊狀襯底上的外延處理的方法和系統

有效

• 申請號: 201210098117.9
• 申請日: 2012-04-05
• 公開（公告）號: CN102738321A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 阿爾潘·查克拉博爾蒂;邁克爾·格林德曼;阿努拉·特亞吉
• 申請（專利權）人: 天空公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/16
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李丙林;張英

1.一種用于制造器件的方法，所述方法包括：

提供具有表面區域的含鎵和氮的襯底，所述表面區域的特征在于c面、從所述c面朝向m方向為至少0.35°的斜切角，并且表面法線的投影與m軸重合；

形成含鎵和氮的薄膜；以及

形成覆蓋所述薄膜的電接觸區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底包括特征在于朝向[11-20]方向的斜切角大于-1°且小于1°的表面；其中，

所述器件選自光學器件和電子器件；并且

所述薄膜包括包含含鋁物質和含銦物質的層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底具有遠離低指數晶體取向的斜切。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，薄膜材料包含(Al、Ga、In)N。

5.根據權利要求4所述的方法，其中：

在作為斜切c面襯底的(Al、Ga、In)N襯底的Ga面上直接生長(Al、Ga、In)N薄膜；其中所述襯底是Ga面c面襯底并且朝向[1-100]方向的斜切角是至少0.35°。

6.根據權利要求2所述的方法，其中：

所述薄膜的特征在于在至少2500μm²表面積上具有小于0.5nm的均方根粗糙度的表面形態；以及

還包括使得形成特征在于發射波長在所述表面上基本上均一的所得襯底。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底是Ga面c面襯底，并且所述斜切角朝向[1-100]方向并且為至少0.35°且小于1°。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底是Ga面c面襯底，并且所述斜切角朝向[11-20]方向并且為大于-1°且小于1°。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底是Ga面c面襯底，并且所述斜切角朝向[1-100]方向并且為大于0.4°且小于0.8°，并且朝向[11-20]方向的斜切角大于-1°且小于1°。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述薄膜是在c面的斜切表面上直接生長的(Al、Ga、In)N膜。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述薄膜的特征在于在所述薄膜的至少2500μm2表面積上具有小于0.3nm的均方根粗糙度的表面形態。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述襯底是Ga面c面襯底，所述Ga面c面襯底朝向[1-100]方向的斜切角為至少0.35°且小于1°，并且朝向[11-20]方向的斜切角大于-1°且小于1°。

13.根據權利要求1所述的方法，包括以連續的方式形成覆蓋所述表面區域的多個(Al、Ga、In)N層。

14.一種器件，包括(Al、Ga、In)N和第一表面，所述第一表面的特征在于朝向m方向的斜切角為至少0.35°的c面。

15.根據權利要求14所述的器件，其中：

所述器件是發光二極管，其特征在于光致發光波長標準偏差小于或等于0.2％；并且

所述第一表面的特征在于在至少2500μm²的面積上均方根表面粗糙度小于1nm。

16.根據權利要求15所述的器件，包括至少一個n型摻雜層和至少一個p型摻雜層。

17.根據權利要求16所述的器件，包括至少一個有源區域。

18.根據權利要求17所述的器件，其中，所述第一表面包括Ga面c面襯底的表面，所述Ga面c面襯底朝向[1-100]方向的斜切角為至少0.35°且小于1°，并且朝向[11-20]方向的斜切角大于-1°且小于1°。