[發(fā)明專利]具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐?/span>有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210097869.3 | 申請日: | 2012-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN102622030B | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃俊維 | 申請(專利權(quán))人: | 四川和芯微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610041 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 溫度 補償 電流 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電流源電路,尤指一種結(jié)構(gòu)簡單且具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐贰?
背景技術(shù)
電流源作為模擬集成電路中必不可少的模塊,其值通常通過一電壓與一電阻相除得到,這往往具有較大的溫度系數(shù),而一些專門作過溫度處理的電流源電路的結(jié)構(gòu)較復(fù)雜,且電流源電路的面積較大。
為了使得產(chǎn)生的電流源隨溫度的變化盡可能小,有必要提供一種結(jié)構(gòu)簡單且具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐贰?
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容,有必要提供一種結(jié)構(gòu)簡單且具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐贰?
一種具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐罚鼍哂袦囟妊a償?shù)碾娏髟措娐钒ㄒ浑娫炊恕⒁慌c所述電源端相連的基準電流源單元、一與所述電源端及所述基準電流源單元相連的反饋控制單元、一與所述反饋控制單元相連的電流源產(chǎn)生單元及一與所述電流源產(chǎn)生單元相連的接地端,所述基準電流源單元為一與所述電源端相連的電流源,所述反饋控制單元包括一與所述電流源的一端相連的第一開關(guān)元件及一連接于所述電流源的另一端與所述第一開關(guān)元件之間的的反向放大器,所述電流源產(chǎn)生單元包括一與所述第一開關(guān)元件、所述電流源及所述反向放大器相連的第二開關(guān)元件及一與所述第一開關(guān)元件、所述第二開關(guān)元件及所述接地端相連的第一電阻。
一種具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐罚鼍哂袦囟妊a償?shù)碾娏髟措娐钒ㄒ浑娫炊恕⒁慌c所述電源端相連的基準電流源單元、一與所述電源端及所述基準電流源單元相連的反饋控制單元、一與所述反饋控制單元相連的電流源產(chǎn)生單元及一與所述電流源產(chǎn)生單元相連的接地端,所述基準電流源單元為一與所述電源端相連的電流源,所述反饋控制單元包括一第十開關(guān)元件、一連接于所述第十開關(guān)元件與所述電源端之間的第十一開關(guān)元件及一與所述第十開關(guān)元件相連的緩沖器,所述電流源產(chǎn)生單元包括一連接于所述第十開關(guān)元件與所述緩沖器之間的第十二開關(guān)元件及一與所述第十開關(guān)元件及所述第十二開關(guān)元件相連的連接電阻。
相對現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐分恍鑼﹂_關(guān)元件進行設(shè)置即可使得產(chǎn)生的電流源的溫度系數(shù)得到有效補償,結(jié)構(gòu)簡單,且易于實現(xiàn)。
附圖說明
圖1為本發(fā)明具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐份^佳實施方式的系統(tǒng)框圖。
圖2為本發(fā)明具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐份^佳實施方式的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖3為本發(fā)明具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐份^佳實施方式的具體電路圖。
圖4為本發(fā)明具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐妨硪粚嵤┓绞降碾娐方Y(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
請參閱圖1,本發(fā)明具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐份^佳實施方式包括一電源端、一與該電源端相連的基準電流源單元、一與該電源端及該基準電流源單元相連的反饋控制單元、一與該反饋控制單元相連的電流源產(chǎn)生單元及一與該電流源產(chǎn)生單元相連的接地端。
請參閱圖2,圖2為本發(fā)明具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐份^佳實施方式的電路結(jié)構(gòu)圖。其中,該電源端為一電源端VDD;該基準電流源單元為一電流源I;該反饋控制單元包括一第一開關(guān)元件及一反向放大器INV;該電流源產(chǎn)生單元包括一第二開關(guān)元件及一第一電阻R1;該接地端為一接地端GND。在本實施方式中,該第一開關(guān)元件為一第一場效應(yīng)管M1,該第二開關(guān)元件為一第二場效應(yīng)管M2,且該第一場效應(yīng)管M1為P型場效應(yīng)管(PMOS),該第二場效應(yīng)管M2為N型場效應(yīng)管(NMOS),在其他實施方式中,開關(guān)元件可根據(jù)需要變更為能夠?qū)崿F(xiàn)同樣功能的其它開關(guān)元件或電路。
本發(fā)明具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐份^佳實施方式的電路連接關(guān)系如下:該第一場效應(yīng)管M1的柵極與該反向放大器INV的一輸出端相連,該第一場效應(yīng)管M1的源級及該電流源I的一端與該電源端VDD相連,該第一場效應(yīng)管M1的漏極與該第一電阻R1的一端及該第二場效應(yīng)管M2的柵極相連,該第二場效應(yīng)管M2的漏極與該電流源I的另一端共同連接該反向放大器INV的一輸入端,該第一電阻R1的另一端與該第二場效應(yīng)管M2的源級共同連接該接地端GND。
請同時參閱圖3,圖3為本發(fā)明具有溫度補償?shù)碾娏髟措娐份^佳實施方式的具體電路圖。其中,該反向放大器INV包括一第三場效應(yīng)管M3及一第四場效應(yīng)管M4;該電流源I包括一第五場效應(yīng)管M5、一第六場效應(yīng)管M6、一第七場效應(yīng)管M7、一第八場效應(yīng)管M8、一第九場效應(yīng)管M9、一第二電阻R2、一第一二極管D1、一第二二極管D2、一第三二極管D3、一第四二極管D4、一第五二極管D5、一第六二極管D6、一第七二極管D7、一第八二極管D8及一第九二極管D9。
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