[發明專利]光半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201210097436.8
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN102738408A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 峰利之;藤森正成;大橋直史
• 申請（專利權）人: 株式會社日立高新技術;株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;孟祥海

1.一種光半導體裝置，具有在基板上從上述基板的主面側起依次形成的第一電極、有機發光層、第二電極，以及設置于上述基板上以覆蓋上述發光層的密封膜，該光半導體裝置的特征在于，

上述密封膜包含交替地層疊平坦化膜和阻擋膜而成的層疊膜，

上述平坦化膜以及上述阻擋膜包含氮氧化硅膜。

2.根據權利要求1所述的光半導體裝置，其特征在于，

上述第一電極的上表面從形成于上述平坦化膜與上述基板之間的第一絕緣膜的開口部露出，形成于上述開口部上的最下層的上述平坦化膜的底面具有凹凸，最下層的上述平坦化膜的上表面是平坦的。

3.根據權利要求1所述的光半導體裝置，其特征在于，

上述平坦化膜包含含有碳的氮氧化硅膜，

上述阻擋膜包含無機氮氧化硅膜。

4.根據權利要求1所述的光半導體裝置，其特征在于，

上述平坦化膜通過并用利用真空紫外線的光CVD法以及利用遠程等離子體的等離子體CVD法來形成。

5.根據權利要求1所述的光半導體裝置，其特征在于，

上述阻擋膜通過并用利用真空紫外線的光CVD法以及利用遠程等離子體的等離子體CVD法來形成。

6.根據權利要求1所述的光半導體裝置，其特征在于，

上述平坦化膜與上述阻擋膜相比楊氏模量低，上述阻擋膜與上述平坦化膜相比膜密度大且阻水性高。

7.根據權利要求1所述的光半導體裝置，其特征在于，

在上述有機發光層與上述密封膜之間形成有吸收真空紫外光的第二絕緣膜。

8.根據權利要求7所述的光半導體裝置，其特征在于，

上述第二絕緣膜是吸收真空紫外線90％以上的絕緣膜。

9.一種光半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

(a)在基板上形成第一電極；

(b)在上述第一電極上形成與上述第一電極電連接的有機發光層；

(c)在上述有機發光層上形成與上述有機發光層電連接的第二電極；以及

(d)在上述有機發光層上通過利用真空紫外光的光CVD法形成氮氧化硅膜，

其中，在上述(d)工序中，在上述真空紫外光的照射過程中利用遠程等離子體進行自由基照射。

10.根據權利要求9所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述(d)工序中，層疊多層上述氮氧化硅膜，在上述有機發光層上從上述有機發光層側起依次交替層疊包含多個上述氮氧化硅膜之一的平坦化膜以及包含多個上述氮氧化硅膜之一的阻擋膜。

11.根據權利要求10所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述(d)工序中，將具有碳的有機物作為原料形成上述平坦化膜，僅將無機物作為原料形成上述阻擋膜。

12.根據權利要求10所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，

上述平坦化膜是在形成過程中表現出流動性的膜，上述阻擋膜是與上述平坦化膜相比膜密度大且阻水性高的膜。

13.根據權利要求9所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述(a)工序之后在上述(b)工序之前，還具有以下工序：在上述基板上形成第一絕緣膜之后，將上述第一絕緣膜開口而使上述第一電極的上表面露出。

14.根據權利要求9所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述(d)工序中，使用氮自由基和氧自由基中的至少一個以及有機硅氣體，作為形成上述氮氧化硅膜的原料氣體。

15.根據權利要求9所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述(d)工序中，使用氧自由基或者氧氣中的某一個、高階硅烷氣體以及氮自由基，作為形成上述氮氧化硅膜的原料氣體。

16.根據權利要求9所述的光半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述(d)工序之前，還具有以下工序：在上述有機發光層上形成吸收真空紫外線90％以上的第二絕緣膜。