[發明專利]一種SiO2減反射薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210097416.0
• 申請日: 2012-04-01
• 公開（公告）號: CN102617045A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 宋偉杰;蘭品軍;李佳;魯越暉;楊曄;譚瑞琴
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: C03C17/23
• 分類號: C03C17/23
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 劉誠午

1.一種SiO₂減反射薄膜，包括光伏玻璃襯底以及依次涂覆在光伏玻璃襯底上的10nm-30nm厚的第一SiO₂致密層、50nm-300nm厚的SiO₂納米空心顆粒層和填充在SiO₂納米空心顆粒層中SiO₂納米空心顆粒之間孔隙中的第二SiO₂致密物；

所述的第二SiO₂致密物的填充總量等同于5nm-30nm厚的第一SiO₂致密層中SiO₂致密物的量。

2.根據權利要求1所述的SiO₂減反射薄膜，其特征在于，所述的SiO₂納米空心顆粒層的厚度為90nm-120nm；

所述的第二SiO₂致密物的填充總量等同于10nm-20nm厚的第一SiO₂致密層中SiO₂致密物的量。

3.根據權利要求1或2所述的SiO₂減反射薄膜，其特征在于，所述的SiO₂納米空心顆粒層的厚度為100nm；

所述的第二SiO₂致密物的填充總量等同于15nm厚的第一SiO₂致密層中SiO₂致密物的量。

4.根據權利要求1所述的SiO₂減反射薄膜，其特征在于，所述的SiO₂納米空心顆粒層中SiO₂納米空心顆粒的粒徑為30nm～120nm，壁厚為3nm～20nm，粒徑的相對標準偏差為5％～30％。

5.根據權利要求1或4所述的SiO₂減反射薄膜，其特征在于，所述的SiO₂納米空心顆粒層中SiO₂納米空心顆粒的粒徑為30nm～45nm，壁厚為4～6nm，粒徑的相對標準偏差為5％～10％。

6.根據權利要求1至5任一項所述的SiO₂減反射薄膜的制備方法，包括步驟：

a.在經過清洗的光伏玻璃上涂覆SiO₂溶膠，于200℃～450℃熱處理0.2h～1h，制備第一SiO₂致密層；

b.將SiO₂納米空心顆粒分散液涂覆于步驟a中的第一SiO₂致密層上，在空氣中干燥5分鐘～20分鐘；

c.將步驟b重復1～8次后涂覆SiO₂溶膠，于200℃～450℃熱處理0.2h～1h；

d.重復步驟c，制備SiO₂納米空心顆粒層并在SiO₂納米空心顆粒層中SiO₂納米空心顆粒之間孔隙中填充第二SiO₂致密物，經300℃～450℃處理0.5小時～2小時，得到SiO₂減反射薄膜。

7.根據權利要求6所述的SiO₂減反射薄膜的制備方法，其特征在于，所述的SiO₂溶膠為酸催化SiO₂溶膠。

8.根據權利要求6所述的SiO₂減反射薄膜的制備方法，其特征在于，所述的涂覆采用旋涂法、提拉法或者噴涂法中的一種方式來完成。

9.根據權利要求6所述的SiO₂減反射薄膜的制備方法，其特征在于，所述的SiO₂納米空心顆粒分散液的制備方法，包括如下步驟：

(1)按照硅源、去離子水、催化劑、溶劑及模板劑的摩爾比為1∶30～90∶15～40∶300～700∶0.01～0.02配置原料；

(2)將步驟(1)中的去離子水、模板劑與催化劑混合，攪拌均勻，接著加入溶劑攪拌均勻，硅源分2～10次等量加入，每次間隔0.5h～3h，硅源全部加入后溶液持續攪拌5h～20h，得到SiO₂納米空心顆粒分散液。

10.根據權利要求9所述的SiO₂減反射薄膜的制備方法，其特征在于，所述的硅源為正硅酸甲酯、正硅酸乙酯中的一種或兩種；

所述的模板劑為十六烷基三甲基溴化銨、聚丙烯酸、聚丙烯酸鈉中的一種或兩種以上；

所述的溶劑為乙醇、異丙醇、乙二醇中的一種或兩種以上；

所述的催化劑為氨水中的氨、尿素或氫氧化鈉。