[發明專利]一種制備標準氧化鉭薄膜的方法無效
| 申請號： | 201210096962.2 | 申請日： | 2012-04-05 |
| 公開（公告）號： | CN102634837A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發明（設計）人： | 徐建;陸敏;朱麗娜;吳立敏;陳永康 | 申請（專利權）人： | 上海市計量測試技術研究院 |
| 主分類號： | C25D11/26 | 分類號： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 上海世貿專利代理有限責任公司 31128 | 代理人： | 李浩東 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 標準 氧化 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備標準氧化鉭薄膜的方法，其特征是它包括如下步驟：
a、對金屬鉭片進行表面處理，
b、將金屬鉭片作為陽極、貴金屬絲作為陰極，在陽極、陰極上施加1～60V的電壓置入電解液中進行陽極氧化反應0.1～12小時，
c、取出并清洗金屬鉭片，
d、放入烘箱干燥。
2.根據權利要求1所述的一種制備標準氧化鉭薄膜的方法，其特征是：表面處理為用拋光液對厚度為100～500μm、表面積為500～1000mm2的金屬鉭片進行化學拋光。
3.根據權利要求1所述的一種制備標準氧化鉭薄膜的方法，其特征是：電解液為濃度0.01～0.5?mol/L的檸檬酸、草酸或硝酸。
4.根據權利要求1所述的一種制備標準氧化鉭薄膜的方法，其特征是：貴金屬絲為鉑絲、金絲或銠絲。
5.根據權利要求1所述的一種制備標準氧化鉭薄膜的方法，其特征是：陽極、陰極相距40～100mm。
6.根據權利要求1所述的一種制備標準氧化鉭薄膜的方法，其特征是：清洗金屬鉭片為用去離子水清洗金屬鉭片。
7.根據權利要求1所述的一種制備標準氧化鉭薄膜的方法，其特征是：干燥溫度為60～120℃，干燥時間為1～6小時。
8.根據權利要求2所述的一種制備標準氧化鉭薄膜的方法，其特征是：拋光液的組分由濃硫酸、硝酸和氫氟酸組成，其體積比為10～20︰4～8︰2～6。
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