[發(fā)明專利]石墨烯納米窄帶的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210096864.9
• 申請日: 2012-04-05
• 公開（公告）號: CN103359721A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林曉陽;姜開利;范守善
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: C01B31/04
• 分類號: C01B31/04;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種石墨烯納米窄帶的制備方法，包括以下步驟：

提供一基底以及一加熱裝置，該基底與該加熱裝置接觸，該加熱裝置用于調(diào)節(jié)該基底的溫度；

設(shè)置一石墨烯膜于該基底的上表面，間隔設(shè)置兩個(gè)相互平行的條形電極于該石墨烯膜遠(yuǎn)離基底的表面，且與該石墨烯膜電絕緣；

提供一碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)，覆蓋于該石墨烯膜遠(yuǎn)離基底的表面，該碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)與所述兩個(gè)條形電極電接觸；

通過所述兩個(gè)條形電極給該碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)通電，該碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)產(chǎn)生熱量，再配合所述基底溫度的調(diào)節(jié)，燒掉部分所述石墨烯膜，在所述基底形成多個(gè)定向排列的石墨烯納米窄帶；以及

利用超聲處理的方法，將所述碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)與獲得的石墨烯納米窄帶分離。

2.如權(quán)利要求1所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述基底的材料為硅、二氧化硅、碳化硅、石英和玻璃中的一種。

3.如權(quán)利要求1所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述石墨烯膜由單層石墨烯或多層石墨烯組成，其厚度為0.5納米至10納米。

4.如權(quán)利要求1所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)由一碳納米管拉膜組成。

5.如權(quán)利要求1所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)由多層碳納米管拉膜重疊設(shè)置而成。

6.如權(quán)利要求4或5所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述碳納米管拉膜包括多個(gè)首尾相連且定向排列的碳納米管束，以及多個(gè)分布于所述碳納米管束之間且與所述定向排列的方向平行的帶狀間隙。

7.如權(quán)利要求1所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)的寬度為1厘米至10厘米，厚度為10納米至100微米。

8.如權(quán)利要求1所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述碳納米管束的寬度為5納米至500微米。

9.如權(quán)利要求1所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述基底的溫度小于等于600攝氏度。

10.如權(quán)利要求1所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述通過所述兩個(gè)條形電極給該碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)通電的過程中，所施加的工作電壓為1伏~20伏。

11.如權(quán)利要求1所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述通過所述兩個(gè)條形電極給該碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)通電的過程中，通電時(shí)間為3秒~5分鐘。

12.如權(quán)利要求1所述的石墨烯納米窄帶的制備方法，其特征在于，所述通過所述兩個(gè)條形電極給該碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)通電的過程中，所述碳納米管拉膜結(jié)構(gòu)的溫度為100攝氏度~600攝氏度。