[發(fā)明專利]導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及制造方法、薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210096583.3
• 申請(qǐng)日: 2012-04-01
• 公開（公告）號(hào): CN102664193A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭在紋;黃秋平;林盛實(shí);金童燮;徐朝煥;徐華偉;陳正偉;薛建設(shè)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/45;H01L29/49;H01L21/28
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;姜精斌

1.一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

由銅或銅合金形成的銅層；

用于阻擋所述銅層的銅離子向外擴(kuò)散的阻擋層；

用于阻擋外部離子擴(kuò)散至所述銅層的防擴(kuò)散層，所述防擴(kuò)散層設(shè)置在所述銅層與所述阻擋層之間。

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋層的材料為鉬合金，所述防擴(kuò)散層的材料為鉬。

3.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鉬合金為MoNb、MoW、MoTi和MoZr中的任意一種或兩種以上的混合物。

4.如權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述鉬合金中除Mo以外的元素的原子百分比在0.001at％至50at％之間。

5.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋層的厚度為至所述防擴(kuò)散層的厚度為至

6.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括柵電極、源電極和漏電極，所述柵電極、源電極和漏電極中的至少一者采用權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

7.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

形成在所述基板上的薄膜晶體管陣列、柵極線和數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管陣列包括多個(gè)薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、源電極和漏電極；

在由所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線交叉界定出的像素區(qū)域還形成有像素電極；

其中，所述柵極線與對(duì)應(yīng)的柵電極連接，所述數(shù)據(jù)線與對(duì)應(yīng)的源電極連接，所述像素電極與對(duì)應(yīng)的漏電極連接；

所述數(shù)據(jù)線、源電極、柵極線、柵電極和漏電極中的至少一者采用權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板。

9.一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成一用于阻擋銅離子向所述基底擴(kuò)散的阻擋層；

在所述阻擋層上形成一用于阻擋經(jīng)由所述阻擋層向上擴(kuò)散的離子的防擴(kuò)散層；

在所述防擴(kuò)散層上形成一銅層，所述銅層的材料為銅或銅合金。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，

進(jìn)一步采用鉬合金作濺射源，通過濺射工藝，形成所述阻擋層；

進(jìn)一步采用鉬作為濺射源，通過濺射工藝，形成所述防擴(kuò)散層；

進(jìn)一步采用銅或銅合金作為濺射源，通過濺射工藝，形成所述銅層；

其中，所述鉬合金的材料為MoNb、MoW、MoTi和MoZr中的任意一種或兩種以上的混合物。