[發(fā)明專利]開關(guān)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210096364.5 | 申請日: | 2012-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN102739210A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田坂泰 | 申請(專利權(quán))人: | 三墾電氣株式會社 |
| 主分類號: | H03K17/04 | 分類號: | H03K17/04;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 開關(guān)電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及具有開關(guān)元件的開關(guān)電路,該開關(guān)元件具有氮化物半導(dǎo)體層。
背景技術(shù)
例如,具有氮化物半導(dǎo)體層的場效應(yīng)晶體管(以下,稱為“氮化物FET”。),在高頻用設(shè)備或高耐壓功率設(shè)備等中使用,其中,該氮化物半導(dǎo)體層具有氮化鎵(GaN)與氮化鋁鎵(AlGaN)的層壓構(gòu)造等。提出了使用具有在氮化物半導(dǎo)體層上形成肖特基結(jié)而配置的柵電極的氮化物FET(以下,稱為“肖特基柵型氮化物FET”。)、或具有在氮化物半導(dǎo)體層上隔著絕緣膜配置的柵電極的MIS構(gòu)造的氮化物FET(以下,稱為“MIS柵型氮化物FET”。)等的各種集成電路(例如,參照專利文獻1。)。
【專利文獻1】日本特開2008-187167號公報
為了引出氮化物FET的優(yōu)良的動作特性,需要對驅(qū)動氮化物FET的驅(qū)動電路(驅(qū)動器)的結(jié)構(gòu)進行充分的研究。例如,在肖特基柵型氮化物FET中,存在消耗電力通過在接通狀態(tài)下流過的柵電流而增大的問題。另外,在MIS柵型氮化物FET中,由于柵電容大,因此為進行高速動作而需要很大的柵電流。因此,需要能夠解決這些問題的驅(qū)動電路。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供抑制柵電流且能夠進行高速動作的開關(guān)電路。
根據(jù)本發(fā)明的一方式提供開關(guān)電路,該開關(guān)電路具有:(A)開關(guān)元件,其具有在氮化物半導(dǎo)體層的主面上彼此分開配置的第1主電極和第2主電極、以及在第1主電極與第2主電極之間配置在主面上的控制電極;以及(B)驅(qū)動電路,其具有:第1整流元件,其正極端子與開關(guān)元件的第1主電極連接;第1驅(qū)動元件,其第1主電極與第1整流元件的負極端子連接,第2主電極與開關(guān)元件的控制電極連接;第2驅(qū)動元件,其第1主電極與開關(guān)元件的控制電極連接,第2主電極與開關(guān)元件的第2主電極連接;以及輸入端子,其接收分別輸入到第1驅(qū)動元件的控制電極和第2驅(qū)動元件的控制電極的控制信號。
根據(jù)本發(fā)明,能夠提供抑制柵電流且能夠進行高速動作的開關(guān)電路。
附圖說明
圖1是示出本發(fā)明的第1實施方式的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖2是示出在本發(fā)明的第1實施方式的開關(guān)電路中使用的開關(guān)元件的構(gòu)造的例子的示意圖。
圖3是用于說明本發(fā)明的第1實施方式的開關(guān)電路的動作的時序圖。
圖4是示出本發(fā)明的第1實施方式的第1變形例的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖5是示出本發(fā)明的第1實施方式的第2變形例的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖6是示出本發(fā)明的第2實施方式的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖7是示出本發(fā)明的第2實施方式的變形例的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖8是示出本發(fā)明的第3實施方式的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖9是示出本發(fā)明的第3實施方式的變形例的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖10是示出本發(fā)明的第4實施方式的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖11是示出本發(fā)明的第5實施方式的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖12是示出本發(fā)明的第5實施方式的變形例的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖13是示出本發(fā)明的第5實施方式的變形例的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖14是示出本發(fā)明的第5實施方式的變形例的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖15是示出本發(fā)明的第6實施方式的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
圖16是示出本發(fā)明的其他實施方式的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的示意的電路圖。
符號說明
D...漏端子;S...源端子;IN_H、IN_L、IN...輸入端子;R1...柵電阻;D1...第1整流元件;D2...第2整流元件;DGD...保護用整流元件;TSW...開關(guān)元件;TD1...第1驅(qū)動元件;TD2...第2驅(qū)動元件;1...開關(guān)電路;10...驅(qū)動電路;11...逆變器電路;12...控制電路;13...浪涌保護電路。
具體實施方式
接著,參照附圖,對本發(fā)明的第1至第6實施方式進行說明。在以下的附圖的記載中,對相同或類似的部分附上相同或類似的符號。但是,應(yīng)注意的是附圖僅是示意的圖。并且,以下所示的第1至第6實施方式,例示用于具體化本發(fā)明的技術(shù)思想的裝置和方法,本發(fā)明的實施方式,不將構(gòu)成部件的構(gòu)造、配置等特定于以下的內(nèi)容。能夠在權(quán)利要求的范圍內(nèi),對本發(fā)明的實施方式施加各種變更。
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