[發明專利]一種連續制備二維納米薄膜的設備

無效

• 申請號: 201210095936.8
• 申請日: 2012-04-02
• 公開（公告）號: CN102634769A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 徐明生
• 申請（專利權）人: 徐明生
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C16/54
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 劉曉春

1.一種連續制備二維納米薄膜的設備，包括進料腔室(4)，樣品制備腔室(7)，出料腔室(12)，其特征在于：

所述的進料腔室(4)、樣品制備腔室(7)和出料腔室(12)均設有樣品傳送裝置；

所述的進料腔室(4)設有與大氣相通的閥門(31)，進料腔室(4)與樣品制備腔室(7)之間設有閥門(32)，樣品制備腔室(7)與出料腔室(12)之間設有閥門(33)，出料腔室(12)設有與大氣相通的閥門(34)；

所述的進料腔室(4)、樣品制備腔室(7)和出料腔室(12)中至少有一個腔室設有加熱裝置；

所述的進料腔室(4)、樣品制備腔室(7)和出料腔室(12)分別連接獨立的抽真空裝置；

所述的進料腔室(4)、樣品制備腔室(7)和出料腔室(12)中的至少一個腔室設有一個或多個氣體連接口。

2.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(4)、樣品制備腔室(7)和出料腔室(12)中的至少一個腔室設有化學氣相沉積系統。

3.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(4)、樣品制備腔室(7)和出料腔室(12)?中的至少一個腔室設有物理氣相沉積系統。

4.根據權利要求3所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的物理氣相沉積系統為濺射靶薄膜沉積系統、電子槍沉積系統、離子槍沉積系統、離子注入沉積系統和熱蒸鍍系統中的任意一種或二種以上的組合。

5.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(4)、樣品制備腔室(7)和出料腔室(12)?中的至少一個腔室的溫度控制在20?~1600?oC。

6.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(4)、樣品制備腔室(7)和出料腔室(12)?中的至少一個腔室的腔壁設有冷卻系統(8)。

7.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的進料腔室(4)、樣品制備腔室(7)和出料腔室(12)?中的至少一個腔室內設有熱屏蔽系統(9)。

8.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于它還設有控制系統，所述的控制系統包括樣品傳送控制系統、氣路控制系統、真空控制系統、閥門控制系統或溫度控制系統中的任意一種或二種以上的組合。

9.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的樣品傳送裝置包括滾輪、皮帶輪和傳送帶中的任意一種或二種以上的組合。

10.根據權利要求1所述的連續制備二維納米薄膜的設備，其特征在于所述的二維納米薄膜包括石墨烯、過鍍金屬硫化物、硅烯、鍺烯或氮化硼。