[發明專利]一種單晶隨爐等溫退火方法及工裝無效
| 申請號： | 201210094284.6 | 申請日： | 2012-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN102605421A | 公開（公告）日： | 2012-07-25 |
| 發明（設計）人： | 倪代秦;吳星;趙巖;何麗娟;王雷;楊巍;馬曉亮;李晉 | 申請（專利權）人： | 北京華進創威電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶隨爐 等溫退火 方法 工裝 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶隨爐等溫退火方法，其特征在于：在物理氣相傳輸法單晶生長結束之后,將坩堝頂部的散熱通道上加蓋保溫塞，同時降低加熱功率10-70%，然后保溫1-48小時；最后采用等溫隨爐退火方法降到室溫，即得到熱應力小的單晶。
2.根據權利要求1所述的單晶隨爐等溫退火方法，其特征在于：所述單晶為碳化硅、氮化鋁。
3.一種單晶隨爐等溫退火工裝，其特征在于：包括坩堝，所述坩堝頂部設散熱通道，在所述散熱通道上方設置一保溫塞，所述保溫塞或坩堝可上下移動。
4.根據權利要求3所述的單晶隨爐等溫退火工裝，其特征在于：所述單晶為碳化硅、氮化鋁。
5.根據權利要求3所述的單晶隨爐等溫退火工裝，其特征在于：在物理氣相傳輸法單晶生長之時，保溫塞與散熱通道的距離為10mm-400mm。
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