[發明專利]電可擦可編程只讀存儲器結構以及電子設備

有效

• 申請號: 201210093908.2
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102623057B
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發明（設計）人: 顧靖
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發明涉及一種電可擦可編程只讀存儲器結構以及采用了該電可擦可編程只讀存儲器結構的電子設備。

背景技術

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器是一種掉電后數據不丟失的存儲芯片。EEPROM可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

電可擦可編程只讀存儲器EEPROM的擦除不需要借助于其它設備，它是以電子信號來修改其內容的，而且是以字節(Byte)為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM(Erasable Programmable ROM，可擦除可編程只讀存儲器)擦除裝置和編程器的束縛。

隨著電可擦可編程只讀存儲器EEPROM應用的廣泛以及電子設備的進一步小型化以及對電子設備性能的高要求，越來越希望提供更加小型化的更加耐用的電可擦可編程只讀存儲器結構。并且，還希望能夠提高電可擦可編程只讀存儲器EEPROM的操作速度。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種更加小型化的更加耐用的電可擦可編程只讀存儲器結構。

根據本發明的第一方面，提供了一種電可擦可編程只讀存儲器結構，其包括：在行方向和列方向布置的存儲單元結構矩陣；其中，同一列的存儲單元結構的源極和漏極通過第一金屬層依次連接；并且其中，同一行的存儲單元結構的字線以及同一行的存儲單元結構的控制柵極分別通過第二金屬層連接在一起；其中，通過填充了導電材料的接觸孔將存儲單元結構的有源區接連至第一金屬層；并且，所述填充了導電材料的接觸孔在存儲單元結構矩陣的行方向和列方向均交叉布置。

優選地，在電可擦可編程只讀存儲器結構中，所述電可擦可編程只讀存儲器結構是閃存裝置結構。

優選地，在電可擦可編程只讀存儲器結構中，在對所述電可擦可編程只讀存儲器結構中的待讀取存儲單元結構進行讀取時，所述待讀取存儲單元結構的控制柵極的電壓為0V，所述待讀取存儲單元結構的字線上的電壓為3V，所述待讀取存儲單元結構的源極電壓為0V，所述待讀取存儲單元結構的漏極電壓為1V。

優選地，在電可擦可編程只讀存儲器結構中，在對所述電可擦可編程只讀存儲器結構中的待擦除存儲單元結構進行擦除時，所述待擦除存儲單元結構的控制柵極的電壓為-7V，所述待擦除存儲單元結構的字線上的電壓為8V，所述待擦除存儲單元結構的源極電壓為0V，所述待擦除存儲單元結構的漏極電壓為0V。

優選地，在電可擦可編程只讀存儲器結構中，在對所述電可擦可編程只讀存儲器結構中的待編程存儲單元結構進行編程時，所述待編程存儲單元結構的控制柵極CG的電壓為8V，所述待編程存儲單元結構的字線上的電壓為1.5V，所述待編程存儲單元結構的源極電壓為5V，所述待編程存儲單元結構的漏極電壓為編程電壓。

優選地，在電可擦可編程只讀存儲器結構中，所述編程電壓為0.4V。

優選地，在電可擦可編程只讀存儲器結構中，所述存儲單元結構具有兩個存儲單元，其中只采用所述兩個存儲單元的一個存儲單元來存儲信息，而另一個存儲單元棄用。

優選地，在電可擦可編程只讀存儲器結構中，兩個存儲單元的控制柵極是連在一起的，控制柵極和字線是平行的，控制柵極與字線和源漏極是垂直的，源漏極是相間的。

根據本發明的第二方面，提供了一種配置了根據本發明第一方面所述的電可擦可編程只讀存儲器結構的電子設備。

通過利用根據本發明的電可擦可編程只讀存儲器結構，可以有效地提高存儲器的操作速度，減小存儲器的尺寸，并且提高存儲的耐用性。由此，對于采用了根據本發明的電可擦可編程只讀存儲器結構的電子設備，也可以提高電子設備的耐用性，減小電子設備的尺寸，并且提高電子設備的操作速度。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據本發明實施例的電可擦可編程只讀存儲器結構。

圖2示意性地示出了根據本發明實施例的讀取操作、擦除操作以及編程操作的示例電壓。

圖3示意性地示出了根據本發明實施例的電可擦可編程只讀存儲器結構中使用的存儲單元結構的示例。