[發(fā)明專利]絕緣柵雙極型晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210093721.2
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102637732B
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發(fā)明（設計）人: 茍鴻雁
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種絕緣柵雙極型晶體管，其包括：集電區(qū)、漂移區(qū)、緩沖區(qū)、體區(qū)以及柵極；其中所述體區(qū)與所述漂移區(qū)之間形成了第一個PN結，所述漂移區(qū)與所述集電區(qū)之間形成了第二個PN結，所述體區(qū)與所述絕緣柵雙極型晶體管的發(fā)射區(qū)之間形成了第三個PN結；其特征在于，所述集電區(qū)包括第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)以及第三反型摻雜區(qū)；其中，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)具有第一摻雜類型，并且所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度，所述第三反型摻雜區(qū)具有第二摻雜類型；并且其中，所述漂移區(qū)和所述第三反型摻雜區(qū)布置在所述第二摻雜區(qū)的相對兩側，并且所述漂移區(qū)和所述第三反型摻雜區(qū)不接觸；此外，所述第一摻雜區(qū)、所述第二摻雜區(qū)以及所述第三反型摻雜區(qū)兩兩彼此鄰接，所述第一摻雜區(qū)、所述第二摻雜區(qū)均接觸所述緩沖區(qū)，所述第二摻雜區(qū)的厚度為0.7微米或1.0微米。

2.根據(jù)權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述集電區(qū)是P型集電區(qū)；所述漂移區(qū)是N型漂移區(qū)；所述體區(qū)是P型體區(qū)。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述集電區(qū)中摻雜了濃度為1e19的硼摻雜。