[發明專利]一種用于離子交換的玻璃基材的掩膜工藝無效
| 申請號： | 201210093645.5 | 申請日： | 2012-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN102590944A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 王明華;楊建義;王毅強;郝寅雷;商惠琴 | 申請（專利權）人： | 上海光芯集成光學股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/134 | 分類號： | G02B6/134;G02B6/136;G02B6/13 |
| 代理公司： | 上?？剖⒅R產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 蔣亮珠 |
| 地址： | 200072 上海市閘*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 離子交換 玻璃 基材 工藝 | ||
1.一種用于離子交換的玻璃基材的掩膜工藝，主要工藝步驟包括：(一)玻璃基材表面清洗；(二)掩膜材料成膜；(三)圖形轉移；其特征在于，所用的掩膜材料為與熔融銀鹽和玻璃基材不發生反應的介質材料或者金屬材料或者聚合物材料。
2.根據權利要求1所述的一種用于離子交換的玻璃基材的掩膜工藝，其特征在于，所述的介質材料為Fe2O3、Al2O3、SiO2、CuO、TiO2、SiN中的一種或幾種的混合。
3.根據權利要求2所述的一種用于離子交換的玻璃基材的掩膜工藝，其特征在于，所述的介質材料用作掩膜材料成膜采用電子束熱蒸發沉積、或者濺射沉積、或者化學汽相沉積、或者Sol-Gel旋涂；掩膜材料成膜所得掩膜的厚度為50nm-1μm，圖形轉移時，對掩膜材料進行刻蝕采用濕法腐蝕或者干法刻蝕方法。
4.根據權利要求1所述的一種用于離子交換的玻璃基材的掩膜工藝，其特征在于，所述的金屬材料為Au、Ag、Pt、Ti中的一種或幾種的混合。
5.根據權利要求4所述的一種用于離子交換的玻璃基材的掩膜工藝，其特征在于，所述的金屬材料用作掩膜材料成膜采用電子束熱蒸發沉積、或者濺射沉積、或者化學汽相沉積；掩膜材料成膜所得掩膜的厚度為50nm-1μm，圖形轉移時，對掩膜材料進行刻蝕采用濕法腐蝕或者干法刻蝕方法。
6.根據權利要求1所述的一種用于離子交換的玻璃基材的掩膜工藝，其特征在于，所述的聚合物材料為聚酰亞胺及其衍生材料。
7.根據權利要求6所述的一種用于離子交換的玻璃基材的掩膜工藝，其特征在于，所述的聚合物材料用作掩膜材料成膜采用旋涂成膜、或者化學汽相沉積；掩膜材料成膜所得掩膜的厚度為50nm-1μm，圖形轉移時，對掩膜材料進行刻蝕采用光敏曝光顯影方法或者干法刻蝕方法。
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