[發(fā)明專(zhuān)利]電子部件內(nèi)藏基板以及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210093530.6
• 申請(qǐng)日: 2012-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102738116A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 露谷和俊;鈴木義弘
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: TDK株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/528
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種電子部件內(nèi)藏基板，其特征在于，

具備：

基板；

電子部件，具有端子并且被載置于所述基板上；

絕緣層，以覆蓋所述電子部件的形式形成；以及

配線(xiàn)層，與所述電子部件的所述端子電連接，

所述電子部件的所述端子具有多層金屬層，并且所述多層金屬層具有最外層以及位于比該最外層更下層側(cè)的連接層中的至少2層，所述最外層其電阻高于所述連接層或者所述配線(xiàn)層，且在與所述絕緣層接觸的部位形成所述最外層，所述絕緣層與所述最外層被直接粘合，在與所述配線(xiàn)層接觸的部位不形成所述最外層，所述配線(xiàn)層與所述連接層不經(jīng)由所述最外層而進(jìn)行電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)藏基板，其特征在于，

所述最外層為含有Pd或者Au的層。

3.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)藏基板，其特征在于，

所述連接層含有Al或者Cu或者這些的合金。

4.如權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的電子部件內(nèi)藏基板，其特征在于，

在所述最外層以及所述連接層之間具有蝕刻阻擋層，

在與所述配線(xiàn)層接觸的部位，所述配線(xiàn)層與所述蝕刻阻擋層連接，并且所述配線(xiàn)層與所述連接層不經(jīng)由所述最外層而進(jìn)行電連接。

5.一種電子部件內(nèi)藏基板的制造方法，其特征在于，

具備：

載置工序，將具有端子的電子部件載置于基板上；

絕緣層形成工序，以覆蓋所述電子部件的形式形成絕緣層；

開(kāi)口形成工序，以所述電子部件的所述端子的一部分露出的形式將開(kāi)口形成于所述絕緣層；以及

配線(xiàn)層形成工序，以與所述電子部件的所述端子電連接的形式將配線(xiàn)層至少形成于所述開(kāi)口的內(nèi)部，

所述端子具有多層金屬層，并且所述多層金屬層具有最外層以及位于比該最外層更下層側(cè)的連接層中的至少2層，所述最外層其電阻高于所述連接層或者所述配線(xiàn)層，

在所述開(kāi)口形成工序中，至少除去一部分所述端子的所述最外層，不經(jīng)由所述最外層而使所述配線(xiàn)層與所述連接層電連接。

6.如權(quán)利要求5所述的電子部件內(nèi)藏基板的制造方法，其特征在于，

所述最外層為含有Pd或者Au的層。

7.如權(quán)利要求5所述的電子部件內(nèi)藏基板的制造方法，其特征在于，

所述連接層含有Al或者Cu或者這些的合金。

8.如權(quán)利要求5所述的電子部件內(nèi)藏基板的制造方法，其特征在于，

在所述最外層以及所述連接層之間具有蝕刻阻擋層，

在所述開(kāi)口形成工序中，連接所述配線(xiàn)層與所述蝕刻阻擋層，并且不經(jīng)由所述最外層而使所述配線(xiàn)層與所述連接層電連接。

9.如權(quán)利要求5～8中任意一項(xiàng)所述的電子部件內(nèi)藏基板的制造方法，其特征在于，

在所述開(kāi)口形成工序中，由濕法噴砂處理形成所述開(kāi)口。