[發明專利]等離子體處理裝置和等離子體產生用天線

無效

• 申請號: 201210093394.0
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102737944A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 池田太郎;小松智仁;河西繁
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

進行等離子體處理的處理容器；

使所供給的電磁波透過的慢波板；和

具有與所述慢波板鄰接地設置的噴頭的等離子體產生用天線，

所述噴頭由導體形成，設置有多個氣孔，在與多個氣孔分離的位置具有使電磁波通過的多個切槽。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述等離子體處理裝置具備多個所述等離子體產生用天線。

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述噴頭向露出在等離子體空間一側的面傳播表面波。

4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述噴頭上，在所述多個切槽的內側和外側形成有所述多個氣孔。

5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

還具備氣體路徑，所述氣體路徑從分割所述多個切槽的部分通過，對形成于比所述切槽更靠內側的多個氣孔供給氣體。

6.如權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述氣體路徑被分成能夠分別供給多種氣體的多個氣體路徑。

7.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述氣體路徑相對于所述噴頭的中心軸形成為同心圓狀。

8.如權利要求3～7中任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在多個所述等離子體產生用天線分別設置有調整所述表面波的電力的電磁波傳輸機構。

9.如權利要求1～8中任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

還具備對所述噴頭施加直流電壓的機構。

10.如權利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

對所述噴頭施加直流電壓的機構在與所述同軸管之間具有絕緣部件。

11.如權利要求1～10中任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述多個切槽中填充有電介質部件。

12.如權利要求1～11中任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述多個切槽相對于所述等離子體產生用天線的中心軸成軸對稱地形成。

13.如權利要求1～12中任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述噴頭的表面，實施有噴鍍或固定有頂板，形成有與所述多個切槽和所述多個氣孔連通的開口。

14.如權利要求1～12中任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述噴頭由硅形成，該噴頭的表面露出。

15.一種等離子體產生用天線，其特征在于，具備：

噴頭，其由導體形成，具有多個氣孔和在與該多個氣孔分離的位置使電磁波通過的多個切槽。