[發明專利]一種陣列基板及其制造方法、以及顯示設備

有效

• 申請號: 201210093375.8
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102654703A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 白金超;劉耀;李梁梁;孫亮;郝昭慧
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;陳源

技術領域

本發明屬于顯示器制造技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制造方法，以及使用所述陣列基板的顯示設備。

背景技術

隨著顯示器制造技術的發展，液晶顯示器技術發展迅速，已經逐漸取代了傳統的顯像管顯示器而成為未來平板顯示器的主流。在液晶顯示器技術領域中，TFT-LCD(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器)以其大尺寸、高度集成、功能強大、工藝靈活、低成本等優勢而廣泛應用于電視機、電腦、手機等領域。

其中，ADSDS(高級超維場轉換技術，ADvanced?Super?Dimension?Switch，簡稱ADS)型TFT-LCD由于具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優點，廣泛應用于液晶顯示器領域。ADS型TFT-LCD通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率，進而提高TFT-LCD產品的畫面品質。

目前，ADS型TFT-LCD的陣列基板是通過多次光刻工藝來完成的，每一次光刻工藝又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝，其中刻蝕工藝包括干法刻蝕和濕法刻蝕。

現有技術中通過5次光刻工藝制造的ADS型TFT-LCD陣列基板是較為領先的技術。圖1為現有的ADS型TFT-LCD的陣列基板像素結構示意圖，如圖1所示，所述5次光刻工藝包括：公共電極(1st?ITO)光刻、柵電極(gate)光刻、半導體層/源漏電極(SDT)光刻、鈍化層(PVX)光刻和像素電極(2nd?ITO)光刻。其中，所述公共電極用于提供公共電壓，所述像素電極用于提供單元像素顯色所需電壓。

上述公共電極光刻和柵電極光刻是在連續的工藝下完成的，如果公共電極2或柵電極4在刻蝕工藝過程中產生殘留，容易造成公共電極2與柵電極4導通，從而導致公共電極2與柵電極4之間發生短路(Gate-Common?Short)，這會嚴重危害薄膜晶體管的性能。為了避免短路現象的發生，一般采取的措施是增大公共電極2與柵電極4之間的距離，但這種做法勢必會增大為了防止柵線漏光的黑矩陣(BM，Black?Matrix)的寬度，同時減少單元像素透光區的面積，從而降低單元像素的開口率。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述問題，提供一種陣列基板及其制造方法，以克服現有技術中存在的單元像素的開口率較低的問題。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是：

所述陣列基板包括：基板；依次形成在所述基板上且相互絕緣的公共電極和像素電極；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極；所述漏電極與所述像素電極電連接；以及與所述柵電極同層設置的公共電極線；其中，所述陣列基板還包括絕緣層，所述絕緣層位于柵電極與公共電極之間，用于將柵電極與公共電極隔離；所述公共電極通過絕緣層過孔與所述公共電極線連接。

優選的是，所述絕緣層覆蓋在所述公共電極上并延伸至基板上，所述公共電極線和柵電極位于絕緣層上；絕緣層覆蓋公共電極的部分開有第一過孔，公共電極通過第一過孔與公共電極線連接。

優選的是，所述公共電極線和柵電極位于基板上，所述絕緣層位于基板上并覆蓋公共電極線和柵電極，所述公共電極位于絕緣層上方；所述絕緣層覆蓋公共電極線的部分開有第一過孔，所述公共電極通過第一過孔與公共電極線連接。

優選的是，所述絕緣層采用高透光性的絕緣材料制成。

本發明同時提供一種如上所述的陣列基板的制造方法，包括在基板上制作公共電極線、公共電極、薄膜晶體管的過程，所述薄膜晶體管包括柵電極、源電極和漏電極；其中，所述制造方法還包括：制作絕緣層，所述絕緣層位于柵電極與公共電極之間，用于將柵電極與公共電極隔離。

優選的是，所述制造方法具體包括下列步驟：

A.在基板上形成公共電極、絕緣層、柵電極與公共電極線的圖形；

B.在完成步驟A的基板上形成柵電極保護層、有源層、源電極和漏電極的圖形；

C.在完成步驟B的基板上形成鈍化層的圖形，并在鈍化層上形成有第二過孔；

D.在完成步驟C的基板上形成像素電極的圖形，所述像素電極通過第二過孔與漏電極連接。

進一步優選的是，所述步驟A包括：

A11.在基板上形成公共電極的圖形；