[發(fā)明專利]銀納米線透明電極氮化鎵基發(fā)光二極管及其制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210093368.8
• 申請(qǐng)日: 2012-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN102623606A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫波;趙麗霞;伊?xí)匝?/a>;劉志強(qiáng);魏學(xué)成;王國宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01L33/42
• 分類號(hào): H01L33/42
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種銀納米線透明電極氮化鎵基發(fā)光二極管，其中包括：

一襯底；

一外延層，制作在襯底上面，該外延層為臺(tái)階狀，其的一側(cè)形成有一臺(tái)面，該外延層用以受激，發(fā)光，電注入；

一納米薄膜，生長在外延層上，用于做電流擴(kuò)展層；

一二氧化硅層，制作在外延層和納米薄膜靠近臺(tái)面的一端，并覆蓋部分納米薄膜的上表面；

一P電極，制作在納米薄膜上；

一n電極，制作在外延層上的臺(tái)面上。

2.如權(quán)利要求1所述的銀納米線透明電極氮化鎵基大功率發(fā)光二極管，其中襯底的材料為硅、藍(lán)寶石或氮化鎵，其表面是平面或微圖形PSS，或者納米圖形。

3.如權(quán)利要求1所述的銀納米線透明電極氮化鎵基大功率發(fā)光二極管，其中外延層包括依次生長的材料為N型氮化鎵層、多量子阱發(fā)光區(qū)和P型氮化鎵層。

4.如權(quán)利要求1所述的銀納米線透明電極氮化鎵基大功率發(fā)光二極管，其中納米薄膜為銀納米線透明導(dǎo)電薄膜。

5.一種銀納米線透明電極氮化鎵基大功率發(fā)光二極管的制備方法，包括以下步驟：

1)、首先在襯底上依次外延生長外延層和納米薄膜；

2)、掩模刻蝕掉襯底上一側(cè)的部分外延生長外延層和納米薄膜，形成臺(tái)面，刻蝕深度到達(dá)外延生長外延層內(nèi)；

3)、在刻蝕后的外延層11和納米薄膜上生長二氧化硅層；

4)、掩?？涛g掉納米薄膜上的部分二氧化硅層和臺(tái)面上的部分二氧化硅層，保留外延層和納米薄膜靠近臺(tái)面一端的二氧化硅層；

5)、在納米薄膜上制作P電極；

6)、在臺(tái)面上制作n電極；

7)、進(jìn)行氣體保護(hù)下的退火處理，以改善發(fā)光二極管的電性能，完成發(fā)光二極管的制作。

6.如權(quán)利要求5所述的銀納米線透明電極氮化鎵基大功率發(fā)光二極管的制作方法，其中襯底的材料為硅、藍(lán)寶石或氮化鎵，其表面是平面或微圖形PSS，或者納米圖形。

7.如權(quán)利要求5所述的銀納米線透明電極氮化鎵基大功率發(fā)光二極管的制作方法，其中外延層包括依次生長的材料為N型氮化鎵層、多量子阱發(fā)光區(qū)和P型氮化鎵層。

8.如權(quán)利要求5所述的銀納米線透明電極氮化鎵基大功率發(fā)光二極管的制作方法，其中納米薄膜為銀納米線透明導(dǎo)電薄膜。