[發(fā)明專(zhuān)利]LED芯片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210093271.7
• 申請(qǐng)日: 2012-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102623587A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程素芬;徐瑾;王江波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;H01L21/78
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板，并在所述基板上形成外延層，所述外延層包括依次層疊在所述基板上的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；

在第一掩膜的掩蓋下，對(duì)所述外延層進(jìn)行第一次刻蝕，以在所述外延層上形成第一凹槽；

采用激光劃片技術(shù)從所述外延層一側(cè)進(jìn)行劃片，形成劃片槽，并高溫腐蝕所述劃片槽，所述劃片槽形成于所述第一凹槽內(nèi)且所述劃片槽的寬度小于所述第一凹槽的寬度；

在第二掩膜的掩蓋下，對(duì)所述外延層進(jìn)行第二次刻蝕，以形成隔離槽，所述隔離槽將芯片分為多個(gè)電隔離的子芯片，所述隔離槽位于所述第一凹槽內(nèi)，且所述隔離槽的寬度大于所述劃片槽的寬度；

在所述隔離槽中設(shè)置絕緣層；

在所述第二半導(dǎo)體層上形成透明導(dǎo)電層，在所述透明導(dǎo)電層上形成第二電極，在所述第一半導(dǎo)體上形成第一電極，并在相鄰的子芯片間形成電氣連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蝕的深度為形成所述第一電極所需的深度，所述第二次刻蝕的寬度小于所述第一次刻蝕的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蝕的深度為0.1-5μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蝕的寬度與所述隔離槽的寬度相等，所述第二次刻蝕的寬度大于所述第一次刻蝕的寬度，所述第二次刻蝕的深度為從所述外延層頂面到形成第一電極所需的深度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述劃片槽的寬度為1-20μm，深度為10-100μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽從所述外延層表面延伸至所述基板的與所述外延層相鄰的表面，所述第二次刻蝕的寬度大于所述第一次刻蝕的寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜為光刻膠、二氧化硅、鉻或鎳掩膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜在所述采用激光劃片技術(shù)從所述外延層一側(cè)進(jìn)行劃片之前形成在所述外延層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜為二氧化硅、氮化硅或氮化鋁掩膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述隔離槽的側(cè)壁與所述基板的表面呈45度角。