[發(fā)明專利]三族氮化物高電子遷移率晶體管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210093097.6
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN103367417A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王偉州;黃皆智;黃子軒
• 申請（專利權(quán)）人: 穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，依序包括：

一基板；

一氮化鎵緩沖層；

一氮化鎵通道層；

一氮化鋁間格層；

一單原子摻雜層；

一阻障層；以及

一氮化鎵覆蓋層。

2.如權(quán)利要求1所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，構(gòu)成該基板的材料選自由碳化硅、硅、氮化鎵及藍(lán)寶石所組成的群組。

3.如權(quán)利要求1所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該阻障層為一氮化鋁鎵(Al_xGa_1-xN)層，且該氮化鋁鎵中的鋁含量x為0.1≤x≤0.4。

4.如權(quán)利要求1所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該阻障層為一氮化銦鋁(In_yAl_1-yN)層，且該氮化銦鋁中的銦含量y為0.17≤y≤0.29。

5.如權(quán)利要求1所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該單原子摻雜層的摻雜物為硅。

6.如權(quán)利要求5所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該硅摻雜濃度為10¹⁷～10¹⁹cm^-3。

7.如權(quán)利要求5所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該硅單原子摻雜層的厚度介于到

8.如權(quán)利要求1所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，介于該單原子摻雜層與該阻障層之間，進(jìn)一步包含一n型均質(zhì)摻雜層。

9.如權(quán)利要求8所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該n型均質(zhì)摻雜層為一氮化鋁鎵(Al_xGa_1-xN)層，且該氮化鋁鎵中的鋁含量x為0.1≤x≤0.4。

10.如權(quán)利要求8所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該n型均質(zhì)摻雜層為一氮化銦鋁(In_yAl_1-yN)層，且該氮化銦鋁中的銦含量y為0.17≤y≤0.29。

11.如權(quán)利要求8所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該n型均質(zhì)摻雜層的摻雜物為硅。

12.如權(quán)利要求11所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該硅摻雜濃度為10¹⁷～10¹⁸cm^-3。

13.如權(quán)利要求8所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該n型均質(zhì)摻雜層的厚度介于到

14.如權(quán)利要求8所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，介于該n型均質(zhì)摻雜層與該阻障層之間，進(jìn)一步包含復(fù)數(shù)層交替迭合的單原子摻雜層及n型均質(zhì)摻雜層。

15.如權(quán)利要求14所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，將一單原子摻雜層及一n型均質(zhì)摻雜層視為一對，則介于該n型均質(zhì)摻雜層與該阻障層之間包含N對單原子摻雜層及n型均質(zhì)摻雜層，且1≤N≤4。

16.如權(quán)利要求14所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該單原子摻雜層的摻雜物為硅。

17.如權(quán)利要求16所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該硅摻雜濃度為10¹⁷～10¹⁹cm^-3。

18.如權(quán)利要求16所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該硅單原子摻雜層的厚度介于到

19.如權(quán)利要求14所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該n型均質(zhì)摻雜層為一氮化鋁鎵(Al_xGa_1-xN)層，且該氮化鋁鎵中的鋁含量x為0.1≤x≤0.4。

20.如權(quán)利要求14所述的三族氮化鎵高電子遷移率晶體管，其特征在于，該n型均質(zhì)摻雜層為一氮化銦鋁(In_yAl_1-yN)層，且該氮化銦鋁中的銦含量y為0.17≤y≤0.29。