[發明專利]在基板中形成溝槽的方法

在審

• 申請號: 201210093060.3
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN103367224A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 陳東郁;王志榮
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種在基板中形成溝槽的方法，包含：

提供一基板；

在該基板上形成一第一圖案化掩模層，該第一圖案化掩模層具有一第一溝槽；

在該基板上全面形成一物質層，該物質層共形地沿著該第一溝槽的一底面以及至少一側壁形成；

在該物質層上形成一第二圖案化掩模層，該第二圖案化掩模層填滿該第一溝槽；

移除部分的該物質層，而保留位于該第二圖案化掩模層以及該基板之間的該物質層，使得該第一圖案化掩模層以及該第二圖案化掩模層之間形成至少一第二溝槽；以及

形成該第二溝槽后，以該第一圖案化掩模層以及該第二圖案化掩模層為掩模進行一蝕刻制作工藝。

2.如權利要求1所述的在基板中形成溝槽的方法，其中該蝕刻制作工藝是移除第二溝槽所暴露的該基板，以在該基板中形成一第三溝槽。

3.如權利要求1所述的在基板中形成溝槽的方法，形成該第二溝槽后，還包含：

在該第二溝槽的一側壁形成至少一第二間隙壁，以在第二溝槽中形成一第四溝槽；以及

移除該第四溝槽所暴露的該基板。

4.如權利要求1所述的在基板中形成溝槽的方法，其中該第二圖案化掩模層與該物質層之間具有蝕刻選擇比。

5.如權利要求1所述的在基板中形成溝槽的方法，其中在形成該第一圖案化掩模層之前，還包含：在該基板上全面形成一第三掩模層。

6.如權利要求5所述的在基板中形成溝槽的方法，其中該蝕刻制作工藝會移除該第二溝槽所暴露的該第三掩模層，以形成一第三圖案化掩模層，且該第三圖案化掩模層具有一第五溝槽。

7.如權利要求6所述的在基板中形成溝槽的方法，形成該第三圖案化掩模層后，還包含：以該第三圖案化掩模層為掩模，以移除該第五溝槽所暴露的該基板。

8.如權利要求6所述的在基板中形成溝槽的方法，形成該第三圖案化掩模層后，還包含：

在該第五溝槽的至少一側壁形成一第五間隙壁，以在第五溝槽中形成一第六溝槽。

9.如權利要求8所述的在基板中形成溝槽的方法，還包含移除該第六溝槽所暴露的該基板。

10.如權利要求8所述的在基板中形成溝槽的方法，還包含：

移除該第三圖案化掩模層；以及

以該第五間隙壁為掩模來蝕刻基底。

11.如權利要求6所述的在基板中形成溝槽的方法，其中該第三圖案化掩模層與該第一圖案化掩模層以及該第二圖案化掩模層之間具有蝕刻選擇比。

12.如權利要求1所述的在基板中形成溝槽的方法，其中形成該第二圖案化掩模層的步驟包含：

在該物質層上全面形成一第二掩模層，該第二掩模層會填滿該第一溝槽；以及

移除位于該第一溝槽以外的該第二掩模層，以形成該第二圖案化掩模層。

13.如權利要求1所述的在基板中形成溝槽的方法，其中該第一圖案化掩模層與該第二圖案化掩模層的材質相同。

14.一種在基板中形成溝槽的方法，包含：

提供一基板；

在該基板上形成一第一圖案化掩模層，該第一圖案化掩模層具有一第一溝槽，該第一溝槽具有一底面以及至少一側壁；

在該第一溝槽的該側壁上形成一物質層；

形成一第二圖案化掩模層，以填滿該第一溝槽；

移除該基板上的全部的該物質層，使得該第一圖案化掩模層以及該第二圖案化掩模層之間形成一第二溝槽；以及

形成該第二溝槽后，以該第一圖案化掩模層以及該第二圖案化掩模層為掩模進行一蝕刻制作工藝。

15.如權利要求14所述的在基板中形成溝槽的方法，其中該蝕刻制作工藝是移除第二溝槽所暴露的該基板，以在該基板中形成一第三溝槽。

16.如權利要求14所述的在基板中形成溝槽的方法，形成該第二溝槽后，還包含：

在該第二溝槽的該側壁形成一第二間隙壁，以在第二溝槽中形成一第四溝槽；以及

移除該第四溝槽所暴露的該基板。

17.如權利要求14所述的在基板中形成溝槽的方法，其中該第一圖案化掩模層與該物質層之間具有蝕刻選擇比。