[發(fā)明專利]包括橋部的堆疊式聲學(xué)諧振器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210093059.0 | 申請日： | 2012-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN102739191A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 達(dá)利斯·布拉卡;亞歷山大勒·施拉卡瓦;斯特凡·巴德 | 申請（專利權(quán)）人： | 安華高科技無線IP(新加坡)私人有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/25 | 分類號： | H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 新加坡*** | 國省代碼： | 新加坡;SG |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 堆疊 聲學(xué) 諧振器 | ||
1.一種體聲波(BAW)諧振器結(jié)構(gòu)，包括：
第一電極，其設(shè)置在襯底上；
第一壓電層，其設(shè)置在所述第一電極上；
第二電極，其設(shè)置在所述第一壓電層上；
第二壓電層，其設(shè)置在所述第二電極上；
第三電極，其設(shè)置在所述第二壓電層上；和
橋部，其設(shè)置在所述第一電極和所述第三電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述橋部是第一橋部，所述BAW諧振器結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述第一電極和所述第三電極之間的第二橋部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述BAW諧振器具有對所述BAW諧振器的有源區(qū)進(jìn)行限界的第一周邊，所述橋部沿著所述第一周邊設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述BAW諧振器具有對所述BAW諧振器的有源區(qū)進(jìn)行限界的第二周邊，所述第二橋部沿著所述第二周邊設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述橋部包括具有聲阻抗的填充材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述第一橋部包括具有聲阻抗的填充材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述第二橋部包括具有聲阻抗的填充材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述橋部具有梯形截面形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述橋部包括設(shè)置在第一上電極中的第一橋部，所述BAW諧振器還包括設(shè)置在第二上電極中的第二橋部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述第一橋部沿著所述BAW諧振器結(jié)構(gòu)的第一周邊設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述第二橋部沿著所述BAW諧振器結(jié)構(gòu)的第二周邊設(shè)置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述橋部包括設(shè)置在所述第一壓電層中的第一橋部，所述BAW諧振器還包括設(shè)置在所述第二壓電層中的第二橋部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述第一橋部沿著所述BAW諧振器結(jié)構(gòu)的第一周邊設(shè)置。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述第二橋部沿著所述BAW諧振器結(jié)構(gòu)的第二周邊設(shè)置。
15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述第一橋部和所述第二橋部都不被設(shè)置在所述第一電極中。
16.根據(jù)權(quán)利要求6所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述填充材料包括不可蝕刻硅硼酸鹽玻璃(NEBSG)。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述填充材料包括不可蝕刻硅硼酸鹽玻璃(NEBSG)。
18.一種體聲波(BAW)諧振器結(jié)構(gòu)，包括：
第一電極，其設(shè)置在襯底上；
第一壓電層，其設(shè)置在所述第一電極上；
第二電極，其設(shè)置在所述第一壓電層上；
第二壓電層，其設(shè)置在所述第二電極上；
第三電極，其設(shè)置在所述第二壓電層上；
橋部，其設(shè)置在所述第一電極和所述第三電極之間；和
內(nèi)部凸起區(qū)域，其設(shè)置在所述第三電極上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在所述第三電極上的外部凸起區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的BAW諧振器結(jié)構(gòu)，其中，所述BAW諧振器具有對所述BAW諧振器的有源區(qū)進(jìn)行限界的第一周邊，所述橋部沿著所述第一周邊設(shè)置，所述內(nèi)部凸起區(qū)域處于所述有源區(qū)中。
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