[發(fā)明專利]硅片加工裝置與方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210092940.9
• 申請日: 2012-04-01
• 公開（公告）號: CN102601877A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設計）人: 孫守振
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/00
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種硅片加工裝置，其包括兩個平行設置的主輥、纏繞在所述兩個主輥外圓周的若干鋼線形成的線網(wǎng)、固定在線網(wǎng)上側(cè)并朝向線網(wǎng)方向進給的工作臺及安裝于所述主輥附近的砂漿機構(gòu)，所述砂漿機構(gòu)包括給線網(wǎng)噴射砂漿的噴嘴，其特征在于，所述硅片加工裝置還包括設置于噴嘴下方的砂漿滯留機構(gòu)，所述砂漿滯留機構(gòu)設置有接受噴嘴噴射出的砂漿的收容腔，所述鋼線穿過所述收容腔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述砂漿滯留機構(gòu)為中空槽型結(jié)構(gòu)，具有沿所述工作臺進給方向設置的兩側(cè)壁，所述兩側(cè)壁分別設置有供鋼線穿過但未接觸到砂漿滯留機構(gòu)的縫隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述砂漿滯留機構(gòu)沿垂直于所述工作臺進給方向的寬度大于所述噴嘴噴出的砂漿簾的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述縫隙包括遠離主輥的第一縫隙及靠近主輥的第二縫隙，其中所述第一縫隙的寬度大于等于所述第二縫隙的寬度，所述第二縫隙的寬度大于所述工作臺進給時在所述鋼線上形成的線弓的最大值。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述第一縫隙的寬度大于第二縫隙寬度，所述第一縫隙沿所述工作臺進給方向上的下邊界低于第二縫隙的下邊界。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述砂漿滯留機構(gòu)包括底板，所述兩側(cè)壁安裝于所述底板兩側(cè)，所述側(cè)壁的底端設置有凹型槽，所述底板對應設置有凸型肋，所述凹型槽和凸型肋相卡接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述砂漿滯留機構(gòu)采用硬性材質(zhì)，所述硬性材質(zhì)選用金屬、塑料及玻璃中的一種或多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述工作臺上安裝有硅錠，所述砂漿滯留機構(gòu)在切割硅錠時與硅錠的距離為8-10mm。

9.一種硅片加工方法，在平行設置的兩個主輥之間布置切割硅片的若干鋼線并形成線網(wǎng)，固定在工件臺上的硅錠朝向線網(wǎng)方向進給，在所述兩個主輥的附近分別安裝砂漿機構(gòu)，用砂漿機構(gòu)的噴嘴給線網(wǎng)噴射砂漿，其特征在于，在所述噴嘴下方設置接受噴嘴噴射出的砂漿的砂漿滯留機構(gòu)，切割硅錠的過程中，所述鋼線浸在所述砂漿滯留機構(gòu)中的砂漿之中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅片加工方法，其特征在于，所述砂漿滯留機構(gòu)為中空槽型結(jié)構(gòu)，具有包括沿所述工作臺進給方向設置的兩側(cè)壁，所述兩側(cè)壁分別設置有供鋼線穿過但未接觸到砂漿滯留機構(gòu)的縫隙。