[發明專利]雙絞線及雙絞線電纜

有效

• 申請號: 201210092841.0
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102800410A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 日下真二;甲田裕貴
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01B11/02
• 分類號: H01B11/02
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 丁文蘊;鄭永梅

技術領域

本發明涉及LAN(Local?Area?Network，局域網)用、差動信號用等高頻區域使用的雙絞線以及雙絞線電纜。

背景技術

在LAN用電纜的主要部分(100m線路長度之中90m區間)上，禁止使用絞線導體。理由是因為在長期的使用中，濕氣(水分)進入絞線導體的單線間的間隙(以下稱為間隙空間)，使高頻電阻、漏泄電導增加，使傳輸損失衰減量(以下稱為衰減量)增加。

另一方面，在產業用途中，由于因絞線導體的柔性而易于鋪設、能夠用于振動的設備等原因，被用于作業用LAN電纜等使用線路長度短的用途。但是，在長期的使用中，在用于較長的距離時，傳輸損失增加，由于系統錯誤、數據BER(Bit?Error?Rate，誤碼率)惡化而引起障礙。

圖7表示用于使用線路長度短的用途的、使用了以往技術的絞線導體的雙絞線電纜的剖視圖。

該雙絞線電纜70具有將七根單線12以1/6結構(將配置在中央的一根單線12用絞成螺旋狀的六根單線12包圍的結構)絞合的絞線導體13，用包覆體33包覆絞線導體13而形成包覆單線72，而且用總包覆體16包覆將該包覆單線72進行了雙股扭絞的雙絞線71而成。

專利文獻1：日本特開2001-6452號公報

作為能夠制造絞線導體的條件，必須扭絞單線。如果不進行扭絞，則成為單線導體集合體、若卷繞到線軸上，則單線彼此相互纏繞而無法制造。

用扭絞角A扭絞單線(單線直徑d)的絞線導體如圖8所示，在絞線導體的長度方向上，以間隔L＝d/cosA的間距存在單線彼此的接觸面。因此，作為絞線導體的等效體積電阻率(高頻電阻)，不是導體自身，而是由導體(主要部分)、單線彼此的接觸面和其間隙空間構成的體積電阻率。

在此，在如下的公式(1)～(3)中表示了絞線導體中的衰減量α、電阻衰減量α_R、漏泄衰減量α_g、等效體積電阻率ρ、介質損耗角正切tanδ的關系。而且，其中，高頻電流交流傳播的等效表皮厚度t、絞線導體直徑D、頻率f、線對的特性阻抗Z_c、線對的相互靜電電容C、漏泄電導G＝2πfCtanδ。

α＝α_R+α_g?????????????????(1)

α_R＝2ρ/(πDt)/(2Zc)???????(2)

α_g＝GZc/2??????????????????(3)

如果長期使用絞線導體，則濕氣進入單線間的間隙，金屬腐蝕。因此，在單線的表面上形成由于腐蝕造成的凹凸，單線彼此就不是面接觸，而是成為點接觸。其結果，接觸電阻便從1.3倍增大到數倍。進而，如果扭絞角A小，則間隔L也變小，絞線導體的長度方向上的間隙空間的頻率(單線彼此接觸的頻率)也增加，因此接觸電阻增大的影響也相應地變大，等效體積電阻率ρ(高頻電阻)增大到數十倍。這便使衰減量之中的電阻衰減量增大，成為不合格的主要原因。而且，在間隙空間的濕氣增大的情況下，由于導體間的電場還包括間隙空間，因此引起tanδ的劣化(漏泄電導G的劣化)，使衰減量之中的漏泄衰減量增大，成為不合格的次要原因。

發明內容

本發明是為了解決上述問題而做出的，目的在于在使用了絞線導體的雙絞線以及雙絞線電纜中，降低因濕氣造成的衰減量的增大。

為了達到上述目的而做出的本發明是一種雙絞線，將用包覆體包覆絞線導體而形成的包覆單線進行雙股扭絞而成，所述包覆體由配合了硅烷偶聯劑的包覆體材料形成。

另外，本發明是一種雙絞線，將用包覆體包覆絞線導體而形成的包覆單線進行雙股扭絞而成，所述絞線導體由兩層包覆體包覆，該兩層包覆體之中與所述絞線導體接觸的內層包覆體由配合了硅烷偶聯劑的包覆體材料形成。

所述包覆體材料中的所述硅烷偶聯劑的配合比為0.5質量％以上2.0質量％以下即可。

另外，本發明是一種雙絞線，將用包覆體包覆絞線導體而形成的包覆單線進行雙股扭絞而成，所述包覆單線用包覆體包覆涂覆了硅烷偶聯劑的絞線導體而形成。

另外，本發明是一種雙絞線電纜，至少使用一根上述任意一項所述的雙絞線，用含阻燃劑的總包覆體包覆該雙絞線而形成。

本發明具有如下有益效果。

根據本發明，在使用了絞線導體的雙絞線以及雙絞線電纜中，能夠降低因濕氣造成的衰減量的增大。

附圖說明

圖1是表示本發明的第一實施方式的雙絞線電纜的結構的剖視圖。