[發(fā)明專(zhuān)利]絕緣柵型半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210092830.2
• 申請(qǐng)日: 2012-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102738236A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮田拓司;竹中一將
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種絕緣柵型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層；

逆導(dǎo)電型的溝道層，其設(shè)置在所述一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層的表面；

多個(gè)條狀的第一槽，該第一槽的深度設(shè)置為貫穿所述溝道層并到達(dá)所述一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，該第一槽在第一方向上延伸；

第二槽，其與相鄰的一組所述第一槽分別交叉為T(mén)形且在第二方向上延伸；

第一絕緣膜，其設(shè)置在所述第一槽和所述第二槽的內(nèi)壁；

柵極電極，其埋設(shè)在所述第一槽和所述第二槽；

第二絕緣膜，其埋設(shè)在所述第一槽和所述第二槽的所述柵極電極上；

一導(dǎo)電型的源極區(qū)域，其在所述第二方向上延伸且在所述溝道層表面設(shè)置為條狀。

2.如權(quán)利要求1所述的絕緣柵型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述源極區(qū)域與所述第二槽鄰接配置。

3.如權(quán)利要求1或2所述的絕緣柵型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述一組第一槽在終端部連續(xù)。

4.如權(quán)利要求3所述的絕緣柵型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述溝道層表面設(shè)置有逆導(dǎo)電型的體區(qū)域，該體區(qū)域包圍所有所述源極區(qū)域的外側(cè)并與該源極區(qū)域鄰接。

5.如權(quán)利要求4所述的絕緣柵型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述體區(qū)域設(shè)置到所述終端部的外側(cè)。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的絕緣柵型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柵極引出線(xiàn)沿著所述一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一邊設(shè)置為直線(xiàn)狀。

7.如權(quán)利要求6所述的絕緣柵型半導(dǎo)體裝置，其特征在于，設(shè)置有在所述柵極引出線(xiàn)上延伸并與該柵極引出線(xiàn)連接的柵極金屬層，該柵極金屬層的彎曲部設(shè)置為零或一個(gè)。