[發明專利]半導體器件有效
| 申請號： | 201210092828.5 | 申請日： | 2012-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN102738118B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發明（設計）人： | 澤田憲 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290 | 代理人： | 陳桂香,武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，包括：
第一半導體基板和第二半導體基板，所述第一半導體基板和所述第二半導體基板層疊，并且在所述第一半導體基板和所述第二半導體基板之間布置有絕緣層；
第一傳輸線，所述第一傳輸線形成在所述第一半導體基板上，所述第一傳輸線包括信號線和地線；
第二傳輸線，所述第二傳輸線形成在所述第二半導體基板上，所述第二傳輸線包括信號線和地線；
用于信號線的第一通孔層，所述用于信號線的第一通孔層是由形成在通孔內部的導體層構成，并且連接到所述第一傳輸線的信號線和所述第二傳輸線的信號線；
用于地線的第一通孔層，所述用于地線的第一通孔層是由形成在通孔內部的導體層構成，并且連接到所述第一傳輸線的地線和所述第二傳輸線的地線；以及
用于地線的第二通孔層，所述用于地線的第二通孔層是由形成在通孔內部的導體層構成，且連接到所述第一傳輸線的地線和/或所述第二傳輸線的地線，并且所述用于地線的第二通孔層包括帶狀的通孔層，所述帶狀的通孔層形成為與所述用于信號線的第一通孔層相對。
2.如權利要求1所述的半導體器件，
其中，所述用于地線的第二通孔層形成為比所述用于地線的第一通孔層淺。
3.如權利要求1所述的半導體器件，還包括用于地線的第三通孔層，其位于所述用于地線的第一通孔層的與所述用于地線的第二通孔層側相反的側，所述用于地線的第三通孔層是由形成在通孔內部的導體層構成，并且所述用于地線的第三通孔層連接到所述第二傳輸線的地線。
4.如權利要求1所述的半導體器件，
其中，所述第一傳輸線和所述第二傳輸線均是共面線。
5.如權利要求1所述的半導體器件，
其中，所述第一傳輸線和所述第二傳輸線中的一者是共面線，另一者是微帶線。
6.如權利要求1所述的半導體器件，
其中，所述第一傳輸線和所述第二傳輸線均是微帶線。
7.如權利要求1所述的半導體器件，
其中，對于所述第一傳輸線的特征阻抗為Za且所述第二傳輸線的特征阻抗為Zb時，含有所述用于信號線的第一通孔層和所述用于地線的第二通孔層的通孔部分的特征阻抗是
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