[發明專利]一種新型電池的制備方法

有效

• 申請號: 201210092711.7
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102623565A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 金浩
• 申請（專利權）人: 光為綠色新能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京中海智圣知識產權代理有限公司 11282
• 代理人: 李奎書

1.一種新型電池的制備方法，其通過在硅片的正面和背面分別形成正電荷膜層和負電荷膜層而制成晶體硅太陽能電池，所述正電荷膜層通過PECVD鍍膜工藝而形成，其特征在于，所述負電荷膜層通過依次進行PECVD鍍氮化硅減反射膜、印刷銀漿柵、燒結和導入負電荷而形成，所述導入負電荷的方法為：將燒結完成的電池片背面向上放置在放電裝置臺上，開啟電源，在正向電暈放電的作用下，沉積正電荷于背面PECVD膜層表面，通過電子隧道效應，將負電荷吸引至背面PECVD膜層中，從而導入負電荷，然后去掉背面PECVD膜層表面的正電荷。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，電暈放電的電壓為10±0.5KV，時間為0.5±0.05min。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在硅片正面進行PECVD鍍膜前對硅片進行以下處理：清洗制絨，擴散制備PN結，刻蝕去除硅片四周的PN結。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在電池片背面進行PECVD鍍氮化硅減反射膜的操作條件為：控制氨氣NH₃和硅烷氣體SiH₄的流量比為1∶2-2∶1，沉積溫度400-500℃，時間為10±1分鐘，壓力為0.5±0.1Torr，在電池片的背面沉積一層厚度為70-80nm的氮化硅膜。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銀漿柵包括線寬1.6-1.8mm的銀漿主柵2-3根和線寬70-90um的銀漿輔柵60-70根。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述燒結在溫度為200-900℃的燒結爐內進行。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，去掉背面PECVD膜層表面的正電荷是用酒精擦拭完成的。