[發明專利]薄膜晶體管、其制作方法及應用其的主動矩陣顯示面板

無效

• 申請號: 201210092692.8
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN103367454A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 張惠喻;游明璋;韓西容;王文俊
• 申請（專利權）人: 聯勝(中國)科技有限公司;勝華科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L23/552;H01L21/77
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種薄膜晶體管，設于一基板上，且其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

一柵極，設于所述基板上；

一絕緣層，覆蓋在所述柵極上；

一金屬氧化物半導體圖案，設于所述基板上；

一源極與一漏極，設于所述絕緣層上；以及

一聚亞酰胺層，覆蓋在所述金屬氧化物半導體圖案上。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體圖案包括氧化銦鎵鋅。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體圖案設于所述柵極絕緣層與所述源極之間以及所述柵極絕緣層與所述漏極之間。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括一第一刻蝕停止圖案，設于所述聚亞酰胺層與所述金屬氧化物半導體圖案之間，且所述第一刻蝕停止圖案具有一第一薄膜密度。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括一第二刻蝕停止圖案，設于所述第一刻蝕停止圖案與所述金屬氧化物半導體圖案之間，且所述第二刻蝕停止圖案具有一第二薄膜密度，小于所述第一薄膜密度。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體圖案設于所述源極與所述聚亞酰胺層之間以及所述漏極與所述聚亞酰胺層之間，并延伸至所述源極與所述漏極之間。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極設于所述聚亞酰胺層上。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣層與所述聚亞酰胺層有兩個穿孔，且所述源極與所述漏極分別藉由各所述穿孔與所述金屬氧化物半導體圖案相接觸。

9.一種主動矩陣顯示面板，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第二基板，與所述第一基板相對設置；

一柵極，設于所述第一基板與所述第二基板之間；

一絕緣層，設于所述柵極與所述第一基板之間；

一金屬氧化物半導體圖案，設于所述第一基板與所述第二基板之間；

一源極與一漏極，設于所述絕緣層與所述第一基板之間；以及

一聚亞酰胺層，設于所述金屬氧化物半導體圖案與所述第一基板之間。

10.如權利要求9所述的主動矩陣顯示面板，其特征在于，還包括：

一液晶層，設于所述第一基板與第二基板之間；

一畫素電極層，設于所述聚亞酰胺層與所述液晶層之間；以及

一配向層，設于所述畫素電極層與所述液晶層之間。

11.如權利要求9所述的主動矩陣顯示面板，其特征在于，還包括一有機電激發光單元，設于所述聚亞酰胺層與所述第一基板之間。

12.如權利要求9所述的主動矩陣顯示面板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體圖案包括氧化銦鎵鋅。

13.如權利要求9所述的主動矩陣顯示面板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體圖案設于所述柵極絕緣層與所述源極之間以及所述柵極絕緣層與所述漏極之間。

14.如權利要求13所述的主動矩陣顯示面板，其特征在于，還包括一第一刻蝕停止圖案，設于所述聚亞酰胺層與所述金屬氧化物半導體圖案之間，且所述第一刻蝕停止圖案具有一第一薄膜密度。

15.如權利要求14所述的主動矩陣顯示面板，其特征在于，還包括一第二刻蝕停止圖案，設于所述第一刻蝕停止圖案與所述金屬氧化物半導體圖案之間，且所述第二刻蝕停止圖案具有一第二薄膜密度，小于所述第一薄膜密度。

16.如權利要求9所述的主動矩陣顯示面板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體圖案設于所述源極與所述聚亞酰胺層之間以及所述漏極與所述聚亞酰胺層之間，并延伸至所述源極與所述漏極之間。

17.如權利要求9所述的主動矩陣顯示面板，其特征在于，所述柵極設于所述聚亞酰胺層與所述第一基板之間。

18.如權利要求17所述的主動矩陣顯示面板，其特征在于，所述絕緣層與所述聚亞酰胺層有兩個穿孔，且所述源極與所述漏極分別藉由各所述穿孔與所述金屬氧化物半導體圖案相接觸。