[發明專利]基于循環嵌套機理的模塊化多電平換流器結構的拓撲方法無效
| 申請號： | 201210092389.8 | 申請日： | 2012-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN102611345A | 公開（公告）日： | 2012-07-25 |
| 發明（設計）人： | 趙成勇;劉興華;彭茂蘭;張寶順 | 申請（專利權）人： | 華北電力大學 |
| 主分類號： | H02M7/483 | 分類號： | H02M7/483 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人： | 史雙元 |
| 地址： | 102206 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 循環 嵌套 機理 模塊化 電平 換流 結構 拓撲 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于循環嵌套機理的模塊化多電平換流器結構的拓撲方法，其特征在于，模塊化多電平換流器結構的拓撲步驟如下：
步驟1，按照換流器交流側輸出電壓諧波含量的要求，確定符合要求的輸出電平數(Nlout)。循環嵌套層數(H)，各層子模塊的個數(Mi)與輸出電平數(Nlout)滿足如下關系式，并且H和Mi(i＝1，2，…，H)有多種取值組合。
步驟2，根據換流器輸出直流母線電壓(Udc)以及步驟1得到的循環嵌套層數和各層子模塊個數，得出各層子模塊需設定的子模塊電容電壓額定值，計算公式如下：
Usm-i＝Usm-(i+1)×(Mi+1+1)(i＝1，2，…，H-1)????(3)
式中：Usm-H表示最底層嵌套中子模塊電容電壓額定值；
Usm-i表示第i層嵌套中子模塊電容電壓額定值，其中第i層是第(i+1)層的父級嵌套層；
Usm-(i+1)表示第(i+1)層(第i層的子級嵌套層)中子模塊電容電壓額定值；
式中其他符號意義與式(1)中符號相同；
步驟3，將按層分類的子模塊全部串聯，并串聯一換相電抗，用其作為模塊化多電平換流器的換流橋臂，從而構成新型模塊化多電平換流器拓撲結構。
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