[發明專利]TFT-LCD陣列面板結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210092245.2
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN103280428A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 曾國波;吳勃;扈映茹;黃賢軍
• 申請（專利權）人: 成都天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種TFT-LCD陣列面板的制造方法，其特征在于，包括：

柵金屬層光刻：在基板上沉積柵金屬層并通過柵金屬掩膜板刻蝕形成柵極線和柵電極；

有源層光刻：在所述基板上依次沉積柵絕緣層、半導體層以及歐姆接觸層，通過有源層掩膜板依次刻蝕所述半導體層和柵絕緣層以暴露出部分柵極線；

S/D光刻：在所述基板上沉積源/漏極金屬層，通過源/漏極掩膜板刻蝕形成源/漏極以及防ESD器件基體，所述防ESD器件基體包括柵極線，暴露出部分柵極線的柵絕緣層、半導體層以及覆蓋暴露出的所述部分柵極線的源/漏極金屬層；

過孔光刻：在所述基板上的整個表面上沉積鈍化層，通過過孔掩膜板刻蝕所述鈍化層，以形成暴露出部分漏極的過孔；

像素電極層光刻：在所述基板上沉積像素電極層，通過像素電極掩膜板刻蝕形成像素電極，進而形成TFT陣列。

2.如權利要求1所述的TFT-LCD陣列面板的制造方法，其特征在于，所述柵金屬層包括Mo、Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al及Cu中的至少一種。

3.如權利要求1所述的TFT-LCD陣列面板的制造方法，其特征在于，在所述有源層光刻步驟中，所述有源層掩膜板為半透光掩膜板，通過所述半透光掩膜板刻蝕半導體層形成島狀有源層，同時刻蝕所述基板上所述防ESD器件區的柵絕緣層以暴露出部分柵極線。

4.如權利要求1所述的TFT-LCD陣列面板的制造方法，其特征在于，在所述S/D光刻步驟中，通過源/漏極掩膜板刻蝕所述源/漏極金屬層、半導體層層和暴露出的部分柵極線形成源/漏極以及防ESD器件基體，并在過孔光刻步驟中，通過過孔掩膜板刻蝕所述源/漏極之間的半導體層以形成島狀有源層。

5.如權利要求1所述的TFT-LCD陣列面板的制造方法，其特征在于，在基板上沉積柵金屬層之前先形成一層氮化硅膜。

6.如權利要求1所述的TFT-LCD陣列面板的制造方法，其特征在于，所述半導體層為α-Si，所述歐姆接觸層為n⁺α-Si。

7.如權利要求1所述的TFT-LCD陣列面板的制造方法，其特征在于，所述鈍化層為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和有機材料中的至少一種。

8.一種TFT-LCD陣列面板結構，包括TFT陣列以及通過柵金屬層與TFT陣列電連接的防ESD器件，其特征在于，所述TFT陣列包括依次形成的柵金屬層、柵絕緣層，半導體層、源/漏極金屬層、鈍化層以及像素電極層；所述防ESD器件包括與所述TFT陣列各層同道工藝形成的柵金屬層、柵絕緣層、半導體層、源/漏極金屬層以及鈍化層，且所述防ESD器件的柵絕緣層、半導體層、歐姆接觸層暴露出部分柵金屬層，源/漏極金屬層覆蓋所述歐姆接觸層和暴露出的柵金屬層，所述鈍化層覆蓋所述源/漏極金屬層。

9.如權利要求8所述的TFT-LCD陣列面板結構，其特征在于，所述TFT-LCD陣列面板結構還包括存儲電容、VT/FPC/IC焊盤、延伸焊盤式布線以及開關器件。

10.如權利要求9所述的TFT-LCD陣列面板結構，其特征在于，所述存儲電容包括與所述TFT陣列各層同道工藝形成的柵金屬層、柵絕緣層、鈍化層以及像素電極層，并以所述柵金屬層為下電極，所述柵絕緣層和鈍化層為絕緣介質，所述像素電極層為上電極。

11.如權利要求9所述的TFT-LCD陣列面板結構，其特征在于，所述存儲電容包括與所述TFT陣列各層同道工藝形成的源/漏極金屬層、鈍化層以及像素電極層，并以源/漏極金屬層為下電極，鈍化層為絕緣介質，像素電極層為上電極。

12.如權利要求9所述的TFT-LCD陣列面板結構，其特征在于，所述VT/FPC/IC焊盤包括與所述TFT陣列各層同道工藝形成的柵金屬層、源/漏極金屬層以及像素電極層。

13.如權利要求9所述的TFT-LCD陣列面板結構，其特征在于，所述延伸焊盤式布線包括與所述TFT陣列各層同道工藝形成的柵金屬層、源/漏極金屬層以及鈍化層。

14.如權利要求9所述的TFT-LCD陣列面板結構，其特征在于，所述開關器件包括與所述TFT陣列各層同道工藝形成的柵金屬層、柵絕緣層、半導體層源/漏極金屬層以及鈍化層。