[發明專利]一種金屬微腔光耦合太赫茲量子阱光子探測器有效
| 申請號： | 201210092230.6 | 申請日： | 2012-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN103367473A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 郭旭光;曹俊誠;張戎;張真真;譚智勇 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0232 | 分類號： | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/101 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 微腔光 耦合 赫茲 量子 光子 探測器 | ||
1.一種金屬微腔光耦合太赫茲量子阱光子探測器，其特征在于，至少包括：
半導體襯底；
金屬反射層，結合于所述半導體襯底；
多量子阱結構，包括結合于所述金屬反射層的下電極、結合于所述下電極的GaAs/(Al，Ga)As量子阱疊層、以及結合于所述GaAs/(Al，Ga)As量子阱疊層的上電極；金屬光柵，結合于所述多量子阱結構，包括多個間隔排列的金屬條；
所述金屬光柵、多量子阱結構與金屬反射層組成法布里-珀羅結構的金屬共振微腔。
2.根據權利要求1所述的金屬微腔光耦合太赫茲量子阱光子探測器，其特征在于：所述金屬反射層的材料為Al、Cu、Au、Pt或其任意組合的合金。
3.根據權利要求1所述的金屬微腔光耦合太赫茲量子阱光子探測器，其特征在于：所述金屬光柵的周期為10～30μm，所述金屬條的寬度為5～15μm。
4.根據權利要求1所述的金屬微腔光耦合太赫茲量子阱光子探測器，其特征在于：所述多量子阱結構的厚度為2～10μm。
5.根據權利要求1所述的金屬微腔光耦合太赫茲量子阱光子探測器，其特征在于：所述GaAs/(Al，Ga)As量子阱疊層中，所述GaAs/(Al，Ga)As量子阱的數量為10～40個，所述GaAs/(Al，Ga)As量子阱的寬度為10～20nm，所述GaAs/(Al，Ga)As量子阱中Al的摩爾比為1％～5％。
6.根據權利要求1所述的金屬微腔光耦合太赫茲量子阱光子探測器，其特征在于：所述金屬光柵的厚度為0.2～0.8μm。
7.根據權利要求1所述的金屬微腔光耦合太赫茲量子阱光子探測器，其特征在于：所述上、下電極均為n型摻雜的n-GaAs層，電子摻雜濃度為1.0×1017～5.0×1017/cm3。
8.根據權利要求1所述的金屬微腔光耦合太赫茲量子阱光子探測器，其特征在于：所述金屬共振微腔為0級法布里-珀羅共振模，其中，所述金屬光柵的周期為20μm，所述金屬條的寬度為6.5μm，所述多量子阱結構的厚度為2μm。
9.根據權利要求1所述的金屬微腔光耦合太赫茲量子阱光子探測器，其特征在于：所述金屬共振微腔為1級法布里-珀羅共振模，其中，所述金屬光柵的周期為20μm，所述金屬條的寬度為8μm，所述多量子阱結構的厚度為6μm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海微系統與信息技術研究所，未經中國科學院上海微系統與信息技術研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210092230.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
