[發(fā)明專利]無電可正常閉合的模擬開關(guān)及開關(guān)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210092065.4 | 申請日： | 2012-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN102694534A | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | T·C·H·李;S·巴登 | 申請（專利權(quán)）人： | 快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司;快捷半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;張穎玲 |
| 地址： | 215021 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 無電可 正常 閉合 模擬 開關(guān) 方法 | ||
1.一種開關(guān)設(shè)備，具有信號輸入端、第一控制輸入端和輸出端，所述開關(guān)設(shè)備包括：
第一晶體管，其包括柵極、漏極和源極，其中，所述第一晶體管的所述漏極被連接到所述信號輸入端；
第二晶體管，其包括柵極、漏極和源極，其中，所述第二晶體管的所述漏極被連接到所述第一晶體管的所述源極，并且其中，所述第二晶體管的所述源極被連接到所述第一晶體管的所述柵極；以及
第三晶體管，其包括柵極、漏極和源極，其中，所述第三晶體管的所述漏極被連接到所述信號輸入端，其中，所述第三晶體管的所述源極被連接到所述輸出端，并且其中，所述第三晶體管的所述柵極被連接到所述第一晶體管的所述源極和所述第二晶體管的所述漏極，
其中，所述開關(guān)設(shè)備被配置為在所述信號輸入端處接收信號，在所述第一控制輸入端處未被施加電壓的第一狀態(tài)下在所述輸出端處提供所述信號，并且在所述第一控制輸入端處被施加有電壓的第二狀態(tài)下將所述信號與所述輸出端隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)設(shè)備，包括：
第二控制輸入端，其被配置為接收接地信號，
其中，所述第一晶體管的所述柵極被連接到所述第一控制輸入端，
其中，所述第二晶體管的所述柵極被連接到所述第二控制輸入端，并且
其中，所述第三晶體管的所述源極被連接到所述第一控制輸入端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)設(shè)備，其中，所述開關(guān)設(shè)備被配置為在所述信號輸入端處接收具有高于和低于地電勢的分量的模擬信號，并且在所述第一控制輸入端處未被施加電壓的所述第一狀態(tài)下在所述輸出端處提供所述模擬信號而不在所述輸出端處對所述信號進行削波，
其中，所述開關(guān)設(shè)備被配置為在未向所述開關(guān)設(shè)備加電的所述第一狀態(tài)下在所述輸出端處提供所述信號，并且
其中，所述開關(guān)設(shè)備包括所述第一控制輸入端，但是不包括單獨的電源輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)設(shè)備，其中，所述第一控制輸入端被配置為接收負(fù)電壓以在所述第二狀態(tài)下將所述信號與所述輸出端隔離，并且接收接地信號或浮動信號以在所述第一控制輸入端處未被施加電壓的所述第一狀態(tài)下在所述輸出端處提供所述信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)設(shè)備，包括：
第二控制輸入端，
其中，所述第二晶體管的所述柵極被連接到所述第二控制輸入端，并且
其中，所述第一控制輸入端被配置為接收負(fù)電壓，并且所述第二控制輸入端被配置為當(dāng)所述輸入信號的幅度超過所述第一控制輸入端相對于地電勢的幅度時接收正電壓以在所述第二狀態(tài)下將所述信號與所述輸出端隔離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)設(shè)備，包括：
第四晶體管，其包括柵極、漏極和源極，其中，所述第四晶體管的所述漏極被連接到所述第一晶體管的所述柵極和所述第二晶體管的所述源極，其中，所述第四晶體管的所述源極被連接到所述第一控制輸入端，并且其中，所述第四晶體管的所述柵極被連接到所述第一控制輸入端，
其中，所述第一晶體管包括n溝道耗盡型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，
其中，所述第二晶體管包括第一n溝道增強型MOSFET，
其中，所述第三晶體管包括n溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)，并且
其中，所述第四晶體管包括第二n溝道增強型MOSFET。
7.一種開關(guān)方法，包括：
在開關(guān)設(shè)備的信號輸入端處接收信號；
在所述開關(guān)設(shè)備的第一控制輸入端處接收第一控制信號；
在所述第一控制輸入端處未被施加電壓的第一狀態(tài)下向所述輸出端提供在所述信號輸入端處接收到的所述信號；以及
在所述第一控制輸入端處被施加有電壓的第二狀態(tài)下將所述信號與所述輸出端隔離，
其中，所述開關(guān)設(shè)備包括第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管，每個晶體管包括柵極、漏極和源極，
其中，所述第一晶體管的所述漏極被連接到所述信號輸入端，
其中，所述第二晶體管的所述漏極被連接到所述第一晶體管的所述源極，其中，所述第二晶體管的所述源極被連接到所述第一晶體管的所述柵極，并且
其中，所述第三晶體管的所述漏極被連接到所述信號輸入端，其中，所述第三晶體管的所述源極被連接到所述輸出端，并且其中，所述第三晶體管的所述柵極被連接到所述第一晶體管的所述源極和所述第二晶體管的所述漏極。
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