[發明專利]丙酮傳感器裝置

在審

• 申請號: 201210092059.9
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN103364443A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 葉哲良;果尚志
• 申請（專利權）人: 葉哲良
• 主分類號: G01N27/00
• 分類號: G01N27/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周長興

1.一種丙酮傳感器裝置，其具有：

一容氣室，用以容納取自一受測者的一呼氣樣本；以及

一丙酮傳感器，置于該容氣室中以依該呼氣樣本的丙酮濃度產生一輸出電流，該丙酮傳感器具有：

一基板；

一緩沖層，沉積于該基板上；

一InN外延層，沉積于該緩沖層上以提供該輸出電流的一電流路徑；

一第一導電接點，沉積于該InN外延層之上以提供一漏極接點；以及

一第二導電接點，沉積于該InN外延層之上以提供一源極接點。

2.根據權利要求1所述的丙酮傳感器裝置，其中，該基板是一c-平面藍寶石層或一(111)硅晶層。

3.根據權利要求1所述的丙酮傳感器裝置，其中，該緩沖層是一氮化鋁層。

4.根據權利要求1所述的丙酮傳感器裝置，其中，該第一導電接點及該第二導電接點由金屬構成。

5.根據權利要求1所述的丙酮傳感器裝置，其中，該第一導電接點及該第二導電接點均具有Au/Al/Ti的結構。

6.根據權利要求1所述的丙酮傳感器裝置，其中，該第一導電接點是用以耦接一第一電壓及該第二導電接點是用以耦接一第二電壓。

7.根據權利要求1所述的丙酮傳感器裝置，其中，該丙酮傳感器進一步具有一催化層，沉積在該InN外延層之上，且該催化層位于該第一導電接點和該第二導電接點之間。

8.根據權利要求7所述的丙酮傳感器裝置，其中，該催化層具有白金。

9.根據權利要求1所述的丙酮傳感器裝置，其中，進一步具有一加熱組件，用以對該丙酮傳感器加熱。

10.根據權利要求9所述的丙酮傳感器裝置，其中，該加熱組件位于該丙酮傳感器下方。

11.根據權利要求9所述的丙酮傳感器裝置，其中，該加熱組件是一鋁材質加熱器。

12.一種丙酮傳感器裝置，其具有：

一容氣室，用以容納取自一受測者的一呼氣樣本；

一丙酮傳感器，置于該容氣室中以依該呼氣樣本的丙酮濃度產生一輸出電流；

一加熱組件，用以對該丙酮傳感器加熱；以及

一量測單元，與該丙酮傳感器耦接以提供與該輸出電流對應的一量測信號；

其中該丙酮傳感器具有：

一基板；

一緩沖層，沉積于該基板上；

一InN外延層，沉積于該緩沖層上以提供該輸出電流的一電流路徑；

一第一導電接點，沉積于該InN外延層之上以提供一漏極接點以耦接一第一電壓；以及

一第二導電接點，沉積于該InN外延層之上以提供一源極接點以耦接一第二電壓。

13.根據權利要求12所述的丙酮傳感器裝置，其中，該基板是一c-平面藍寶石層或一(111)硅晶層。

14.根據權利要求12所述的丙酮傳感器裝置，其中，該緩沖層是一氮化鋁層。

15.根據權利要求12所述的丙酮傳感器裝置，其中，該第一導電接點及該第二導電接點均具有Au/Al/Ti的結構。

16.根據權利要求12所述的丙酮傳感器裝置，其中，該丙酮傳感器進一步具有一催化層，沉積在該InN外延層之上，且該催化層是位于該第一導電接點和該第二導電接點之間。

17.根據權利要求16所述的丙酮傳感器裝置，其中，該催化層具有白金。

18.根據權利要求12所述的丙酮傳感器裝置，其中，該加熱組件位于該丙酮傳感器下方。

19.根據權利要求12所述的丙酮傳感器裝置，其中，該加熱組件是一鋁材質加熱器。

20.一種用于糖尿病偵測的丙酮傳感器裝置，其具有：

一容氣室，用以容納取自一受測者的一呼氣樣本；

一丙酮傳感器，置于該容氣室中以依該呼氣樣本的丙酮濃度產生一輸出電流；

一加熱組件，用以對該丙酮傳感器加熱；以及

一量測單元，與該丙酮傳感器耦接以提供與該輸出電流對應的一量測信號以供糖尿病診斷；

其中該丙酮傳感器具有：

一基板；

一緩沖層，沉積于該基板上；

一InN外延層，沉積于該緩沖層上以提供該輸出電流的一電流路徑；

一第一導電接點，沉積于該InN外延層之上以提供一漏極接點以耦接一第一電壓；

一第二導電接點，沉積于該InN外延層之上以提供一源極接點以耦接一第二電壓；以及

一催化層，沉積于該InN外延層之上，且該催化層位于該第一導電接點及該第二導電接點之間。