[發明專利]檢測版圖結構及檢測方法

有效

• 申請號: 201210091973.1
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN103367323A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 王貴明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種檢測版圖結構，與晶圓上待檢測的金屬互連線相適配，其特征在于，包括：多個橫向圖形、多個縱向圖形、多個通孔線以及接觸焊盤；

所述橫向圖形形成于所述縱向圖形所在圖形層上的圖形層中，所述通孔線形成于所述橫向圖形和所述縱向圖形之間，所述橫向圖形通過通孔線與縱向圖形對應相連，形成多個45度走向的階梯型鏈，多個所述階梯型鏈在所述檢測版圖結構的邊緣處通過橫向圖形或縱向圖形串聯連接，并通過最外圍的階梯型鏈與接觸焊盤的連接引出；其中

除位于所述檢測版圖結構最外圍的階梯型鏈外，每一階梯型鏈具有兩個相鄰的階梯型鏈，其中一相鄰的階梯型鏈的橫向圖形與該當前階梯型鏈中的對應橫向圖形形成頭頭相對結構，另一相鄰的階梯型鏈的橫向圖形與當前階梯型鏈中的對應橫向圖形形成平行相錯結構。

2.如權利要求1所述的檢測版圖結構，其特征在于，所述檢測版圖結構與所述晶圓上待檢測的金屬互連線的金屬引線的尺寸和數量、金屬通孔的尺寸和數量相同。

3.如權利要求2所述的檢測版圖結構，其特征在于，所述檢測版圖結構中頭頭相對結構的數量、所述平行相錯的結構數量與所述晶圓上待檢測的金屬互連線中的頭頭相對結構的數量、所述平行相錯結構的數量相等。

4.如權利要求1所述的檢測版圖結構，其特征在于，所述頭頭相對結構中兩相鄰的橫向圖形之間的距離為0.05μm～0.15μm。

5.如權利要求4所述的檢測版圖結構，其特征在于，所述頭頭相對結構中兩相鄰的橫向圖形之間的距離為0.10μm。

6.如權利要求1所述的檢測版圖結構，其特征在于，所述平行相錯結構中兩相鄰的橫向圖形之間的距離為0.05μm～0.15μm。

7.如權利要求6所述的檢測版圖結構，其特征在于，所述平行相錯結構中兩相鄰的橫向圖形之間的距離為0.10μm。

8.如權利要求1至7中任意一項所述的檢測版圖結構，其特征在于，所述橫向圖形的寬度為0.08μm～0.18μm，所述通孔線的截面寬度為0.07μm～0.11μm，相鄰的通孔線之間的最小距離為0.08μm～0.18μm。

9.如權利要求8所述的檢測版圖結構，其特征在于，所述橫向圖形的寬度為0.13μm，所述通孔線的截面寬度為0.09μm，所述相鄰的兩通孔線之間的最小距離為0.13μm。

10.一種檢測方法，包括：

在晶圓上設定測試區域；

在所述晶圓上形成多層金屬互連層，在形成其中一層或多層待檢測的金屬互連層時，同時對應在所述測試區域上形成一個或多個如權利要求1至9中任意一項所述檢測版圖結構，并理論確定所述檢測版圖結構的標準阻值范圍；

測定所述檢測版圖結構的實際阻值，若實際阻值在所述標準阻值的范圍內，則判定所述待檢測的金屬互連層符合工藝要求，否則判定所述待檢測的金屬互連層不符合工藝要求。

11.如權利要求10所述的檢測方法，其特征在于，所述測試區域位于所述晶圓的切割道中。

12.如權利要求10所述的檢測方法，其特征在于，所述待檢測的金屬互連層為多層，所述檢測版圖結構具有與各個待檢測的金屬互連層相對應的多個。