[發明專利]半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201210091972.7 | 申請日： | 2012-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN103367371A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 陳勇 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，包括：
提供第一基體和第二基體；
在所述第一基體上依次形成硅鍺層和罩層；
在所述罩層中形成基體CMOS晶體管，并在所述罩層的第一面上形成金屬前介質層；
將所述第一基體通過所述金屬前介質層與所述第二基體粘合；
翻轉所述第一基體依次刻蝕去除所述第一基體和硅鍺層，以暴露所述罩層；
在所述罩層上形成器件背面結構。
2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，采用外延生長法形成所述硅鍺層。
3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述硅鍺層中含有摻雜物質。
4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述摻雜物質包括碳或硼。
5.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述硅鍺層中摻雜物質的摩爾比例為1％～10％。
6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述罩層的材質為硅單質。
7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，采用外延生長法形成所述罩層。
8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述硅鍺層的厚度大于50nm。
9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述硅鍺層中鍺的含量大于10％。
10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述罩層的厚度為500nm～5000nm。
11.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，利用氯化氫或氟化氫刻蝕去除所述硅鍺層。
12.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，利用二氟甲烷、四氟化碳、氮氣和氧氣的混合氣體刻蝕去除所述硅鍺層。
13.如權利要求1至12中任意一項所述的半導體器件的制造方法其特征在于，所述器件背面結構為背面照度影像感測結構。
14.如權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述背面照度影像感測結構包括透鏡和位于透鏡和所述罩層之間的感光層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
