[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)電池、組件及太陽(yáng)電池電極的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210091911.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103367468A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葛劍;楊健;陳如龍;錢洪強(qiáng);陳麗萍;王曉暉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無(wú)錫尚德太陽(yáng)能電力有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 214028 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽(yáng)電池 組件 電極 制造 方法 | ||
1.一種太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
a、對(duì)電池基片進(jìn)行制絨和清洗,并對(duì)其正面進(jìn)行淺擴(kuò)散形成PN結(jié);
b、在淺擴(kuò)散以后的電池基片的正面沉積鈍化減反膜;
c、在電池基片正面的電極區(qū)域進(jìn)行深擴(kuò)散;
d、對(duì)所述電池基片的所述背面進(jìn)行鈍化處理;
e、在背面經(jīng)鈍化處理的電池基片正面的電極區(qū)域沉積第一金屬形成籽晶層;
f、將所述電池基片設(shè)置在電化學(xué)沉積裝置內(nèi)進(jìn)行電化學(xué)沉積在籽晶層上形成第二金屬或金屬合金層;以及
g、在電化學(xué)沉積的第二金屬或金屬合金層上通過(guò)噴涂或印刷形成第三金屬或金屬合金層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,在步驟e中,通過(guò)化學(xué)沉積在電池基片的正面電極區(qū)域形成第一金屬并進(jìn)行燒結(jié)形成籽晶層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,所述第一金屬為鎳,所述燒結(jié)溫度為200℃~500℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,所述第二金屬為銅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,在步驟g中,通過(guò)絲網(wǎng)印刷形成第三金屬或金屬合金層,并進(jìn)行烘干處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,所述第三金屬為銀,所述烘干處理的溫度為100℃~500℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,所述步驟c包括以下步驟:c0、在電池基片正面主柵線和副柵線部位形成凹槽;c2、對(duì)所述凹槽進(jìn)行清洗并進(jìn)行深擴(kuò)散。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,所述步驟c包括以下步驟:c1、清除電池基片正面主柵線和副柵線部位的鈍化減反膜并進(jìn)行清洗;c2、對(duì)所述主柵線和副柵線部位進(jìn)行深擴(kuò)散。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,所述方法還包括步驟h、將所述電池基片設(shè)置在電化學(xué)沉積裝置內(nèi)進(jìn)行電化學(xué)沉積在第三金屬或金屬合金層上形成第二金屬或金屬合金層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,在步驟d中,通過(guò)噴涂、印刷或?yàn)R射鋁并經(jīng)熱處理來(lái)對(duì)所述電池基片的背面進(jìn)行鈍化處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法,其特征在于,所述熱處理的溫度大于硅鋁共晶溫度577℃。
12.一種太陽(yáng)電池,其特征在于,所述太陽(yáng)電池的電極通過(guò)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)電池電極的制造方法制成。
13.一種太陽(yáng)電池組件,其特征在于,所述太陽(yáng)電池組件包括多個(gè)按行/列排列的如權(quán)利要求12中所述的太陽(yáng)電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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