[發(fā)明專利]一種具有激光開槽正面電極的晶體硅太陽電池的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210091683.7 | 申請日： | 2012-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN102623564A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 班群;沈輝;梁宗存 | 申請（專利權(quán)）人： | 中山大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 510275 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 激光 開槽 正面 電極 晶體 太陽電池 制作方法 | ||
1.一種具有激光開槽正面電極的晶體硅太陽電池的制作方法，包括鍍氮化硅減反射膜工序，其特征是還含有以下工序：采用激光對晶體硅片正面的氮化硅減反射層和發(fā)射區(qū)進行激光開槽，再經(jīng)后續(xù)含印刷正面銀電極、背面銀電極和背電場工序，燒結(jié)后獲得具有激光開槽正面電極的晶體硅太陽電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有激光開槽正面電極的晶體硅太陽電池的制作方法，其特征是：采用波長為400～600nm的激光對晶體硅片正面的氮化硅減反射層和發(fā)射區(qū)進行激光開槽，再經(jīng)后續(xù)含印刷正面銀電極、背面銀電極和背電場工序，燒結(jié)后獲得具有激光開槽正面電極的晶體硅太陽電池。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有激光開槽正面電極的晶體硅太陽電池的制作方法，其特征是：所述正面銀電極包括主柵線銀電極和細柵線銀電極，所述主柵線銀電極的寬度為1.0～1.5mm，所述細柵線銀電極的寬度為0.05～0.1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有激光開槽正面電極的晶體硅太陽電池的制作方法，其特征是：采用激光對晶體硅片正面的氮化硅減反射層和發(fā)射區(qū)進行激光開槽，槽的寬度與主柵線銀電極或細柵線銀電極的寬度相適配。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有激光開槽正面電極的晶體硅太陽電池的制作方法，其特征是：采用激光對晶體硅片正面的氮化硅減反射層和發(fā)射區(qū)進行激光開槽的深度為進入發(fā)射區(qū)深度的300～1000nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有激光開槽正面電極的晶體硅太陽電池的制作方法，其特征是：絲網(wǎng)印刷正面銀電極時采用的漿料中不含有含鉛的硼酸玻璃粉。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
