[發明專利]晶片的磨削方法有效
| 申請號: | 201210091157.0 | 申請日: | 2012-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN102737980A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 山口崇;鈴木將昭;國重仁志;小山真史;杉岡優介;田中和馬 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林;王小東 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 磨削 方法 | ||
技術領域
本發明涉及磨削晶片的背面的方法,所述晶片在藍寶石基板的表面層疊有發光層并且至少在表面側的外周形成有倒角部。
背景技術
通過外延生長在藍寶石基板的表面層疊n型半導體層、p型半導體層,并在由分割預定線劃分出的區域形成多個發光器件,從而構成晶片,通過利用激光加工裝置沿分割預定線照射激光而將所述晶片分割為一個個光器件,并被利用在照明設備、液晶的背光燈、各種電子設備等(例如,參考專利文獻1)。
對如此構成的晶片,為了實現光器件的亮度的提高,磨削晶片的背面而將初期700μm左右的厚度減薄至100μm左右。
在磨削晶片的背面時,通過將晶片的表面利用丙烯類的粘接劑粘貼于由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等形成的硬質基板,從而保護晶片的表面(例如參考專利文獻2)。
專利文獻1:日本特開平10-305420號公報
專利文獻2:日本特開2010-46744號公報
但是,藍寶石基板不僅硬度高而且在晶片的表面側的外周施行了倒角加工,因此在磨削晶片的背面至其厚度達到例如150μm左右時,由于晶片的外周的倒角部抖動,因而存在著在晶片內部產生裂紋的問題。
發明內容
本發明正是鑒于這樣的問題而完成的,其目的在于,當對在藍寶石基板的表面形成有半導體層并且外周進行了倒角的晶片的背面進行磨削的時候,使所述晶片的內部不會產生裂紋。
本發明涉及晶片的磨削方法,所述晶片的磨削方法是對在藍寶石基板的表面層疊有發光層并且至少在表面側的外周形成有倒角部的晶片的背面進行磨削的方法,所述晶片的磨削方法至少由下述工序構成:樹脂填充工序,在該工序中,使晶片的表面與支承晶片的硬質基板的表面面對,并且至少在硬質基板與晶片的倒角部之間的間隙填充樹脂;和背面磨削工序,在該工序中,在樹脂固化之后,將硬質基板側保持在能夠旋轉的卡盤工作臺并使晶片的背面露出,使呈環狀地具備磨削磨具的磨削輪旋轉,以使磨削磨具通過晶片的旋轉中心的方式使磨削輪接觸晶片的背面來對晶片的背面進行磨削。
在該晶片的磨削方法中,在樹脂中混入磨粒,以防止在背面磨削工序中磨削磨具的磨具氣孔被堵塞。而且,在背面磨削工序中,磨削晶片的背面至倒角部為止。
在本發明中,在硬質基板與晶片的倒角部之間的間隙填充樹脂,并在該狀態下磨削晶片的背面,因此倒角部不會抖動,能夠防止在晶片內部產生裂紋。
而且,通過使磨粒混入填充于硬質基板與晶片的倒角部之間的間隙的樹脂,由于磨粒阻止樹脂進入磨削磨具,因此能夠防止磨削磨具發生磨具氣孔堵塞。
附圖說明
圖1是表示晶片的一示例的一部分的主視圖。
圖2是表示晶片的一示例的立體圖。
圖3是表示使晶片的表面與硬質基板面對的狀態的立體圖。
圖4是表示將晶片粘貼在硬質基板之后的狀態的立體圖。
圖5是概要地表示在硬質基板與晶片的表面的倒角部之間的間隙填充樹脂之后的狀態的剖視圖。
圖6是表示磨削裝置的一示例的立體圖。
圖7是表示使硬質基板保持在卡盤工作臺的狀態的立體圖。
圖8是表示磨削晶片的背面的狀態的立體圖。
圖9是概要地表示背面被磨削后的晶片的一部分的剖視圖。
標號說明
1:晶片;
1a:表面;
1b:背面;
L:分割預定線;
D:光器件;
10:藍寶石基板;
11:發光層;
12、13:倒角部;
2:硬質基板;
2a:表面;
3:樹脂;
4:磨削裝置;
5:卡盤工作臺;
50:罩;
51:折皺保護罩;
6:磨削部件;
60:磨削輪;
600:基座;
601:磨削磨具;
61:固定件;
62:旋轉軸;
63:殼體;
64:驅動部;
7:磨削進給部件;
70:滾珠螺桿;
71:導軌;
72:脈沖馬達;
73:升降部;
74:支承部。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





