[發明專利]雙面微通道液冷功率半導體整晶圓平板壓接封裝結構

有效

• 申請號: 201210090859.7
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN103367279B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 劉勝;吳林;徐玲;周洋;陳明祥
• 申請（專利權）人: 南京皓賽米電力科技有限公司
• 主分類號: H01L23/473
• 分類號: H01L23/473
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所31210
• 代理人: 李平

1.一種雙面微通道液冷功率半導體整晶圓平板壓接封裝結構,包括:功率半導體晶圓、彈簧針、石墨片、發射極金屬片、集電極金屬片、上冷卻板、下冷卻板、陶瓷管殼,其特征在于所述功率半導體晶圓上下表面采用石墨片壓接，發射極金屬片和集電極金屬片分別位于石墨片上作為引線端子引出功率半導體晶圓的集電極和發射極，石墨片、發射極金屬片、集電極金屬片和功率半導體晶圓均密封封裝在陶瓷管殼內，上冷卻板和下冷卻板分別壓接在陶瓷管殼的頂部和底部，上冷卻板和下冷卻板中設有冷卻微通道，微通道內的冷卻液通過泵實現循環冷卻，在上冷卻板中心位置和石墨片、發射極金屬片中心位置均設有一孔，孔中壓入彈簧針，彈簧針與功率半導體晶圓中心位置的門極接觸，彈簧針與上冷卻板、發射極金屬片、石墨片之間通過絕緣材料隔離并密封。

2.根據權利要求1所述的雙面微通道液冷功率半導體整晶圓平板壓接封裝結構，其特征在于所述功率半導體晶圓上下表面采用石墨片壓接為：石墨片表面通過濺射或刻蝕方法制備高分子絕緣圖形的絕緣層斷開功率半導體晶圓因生產過程中產生的不合格區域的電接觸。

3.根據權利要求1所述的雙面微通道液冷功率半導體整晶圓平板壓接封裝結構，其特征在于所述彈簧針在功率半導體晶圓中心位置引出門極，彈簧針通過絕緣材料與石墨片、發射極金屬片絕緣隔離。

4.根據權利要求1所述的雙面微通道液冷功率半導體整晶圓平板壓接封裝結構，其特征在于所述上冷卻板、下冷卻板采用絕緣高導熱率材料制造。

5.根據權利要求1所述的雙面微通道液冷功率半導體整晶圓平板壓接封裝結構，其特征在于所述上冷卻板、下冷卻板中的微通道為分立型結構。

6.根據權利要求1所述的雙面微通道液冷功率半導體整晶圓平板壓接封裝結構，其特征在于所述石墨片中預埋溫度測量裝置的溫度傳感器、變測量裝置的應變計。

7.根據權利要求1所述的雙面微通道液冷功率半導體整晶圓平板壓接封裝結構，其特征在于所述上冷卻板、下冷卻板的微通道中安裝有流量檢測裝置的流量傳感器。