[發明專利]通道網絡結構及其方法

有效

• 申請號: 201210090658.7
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN102738104A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 李源;索姆·納瑟;馬爾騰·范多特
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種集成電路器件，在集成電路器件的結構上提供表面，所述集成電路器件包括：

所述表面處的至少一個鍵合焊盤接觸部；

位于每個鍵合焊盤接觸部下方并且將該鍵合焊盤接觸部與金屬層相連的至少一個通道網絡層，每個通道網絡層包多個通道條帶，所述多個通道條帶被配置和布置為基本上平行于所述表面沿著不同方向延伸，以促進對該鍵合焊盤接觸部的結構支撐；以及

絕緣材料，在每層中的通道條帶之間。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，通道網絡層中的至少一個通道網絡層的通道條帶包括多個相交的通道條帶。

3.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，多個通道條帶基本上平行于所述表面橫向地延伸到與鍵合焊盤接觸部沿所述表面的橫向尺寸基本上相等的長度。

4.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，對于每個通道網絡層，該通道網絡層實質上位于在與該通道網絡層相連的鍵合焊盤接觸部下方的集成電路器件部分內。

5.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述集成電路器件包括：封裝，被配置為耦合至集成電路芯片。

6.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，最靠近鍵合焊盤接觸部的第一通道網絡層包括具有第一材料的通道條帶，所述第一材料不同于比第一通道網絡層距離鍵合焊盤接觸部遠的另一通道互連層中的通道條帶所具有的第二材料，所述第一材料的機械強度比第二材料大。

7.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，最靠近鍵合焊盤接觸部的第一通道網絡層包括通道條帶，所述通道條帶的截面大于比第一通道網絡層距離鍵合焊盤接觸部遠的另一通道互連層中的通道條帶的截面。

8.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，最靠近鍵合焊盤接觸部的第一通道網絡層包括第一材料的通道條帶，所述第一材料不同于比第一通道網絡層距離鍵合焊盤接觸部遠的另一通道互連層中的通道條帶的第二材料，而且所述第一材料的通道條帶的截面比所述另一通道互連層中的通道條帶的截面大，第一材料且截面較大的通道條帶提供的結構支撐強于所述另一通道互連層中的通道條帶所提供的結構支撐。

9.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，通道網絡層中至少一個通道網絡層的通道條帶以弧形延伸，另一通道網絡層中的通道條帶沿著與弧形的方向相交的徑向方向延伸。

10.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，絕緣材料包括在鍵合焊盤接觸部與最靠近所述表面的下部金屬層之間的絕緣材料層，所述絕緣材料層比最靠近所述表面的金屬層與另一較下的金屬層之間的絕緣材料層厚。

11.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，通道網絡層中的至少一個通道網絡層包括在所述表面下方彼此橫向相鄰布置且基本上均等地隔開的通道網絡。

12.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，將至少一個金屬層圖案化成網絡結構，所述網絡結構與所述至少一個金屬層緊鄰的通道網絡層中的通道條帶的網絡結構相匹配。

13.一種制造集成電路器件的方法，在所述集成電路器件的結構上提供表面，所述方法包括：

在至少一種絕緣材料中，形成至少一個通道網絡層，每個通道網絡層包括多個通道條帶，所述多個通道條帶被配置和布置為基本上平行于所述表面沿不同方向延伸，以促進對通道條帶上方的鍵合焊盤接觸部的結構支撐。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，形成至少一個通道網絡層包括：在絕緣材料中形成多個溝槽，所述溝槽基本上平行于所述表面延伸；以及利用導電材料填充所述溝槽以形成通道條帶。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，形成至少一個通道網絡層包括：在通道網絡層的至少一個通道網絡層中形成相交的通道條帶。

16.根據權利要求13所述的方法，其中，形成至少一個通道網絡層包括：實質上在與所述至少一個通道網絡層相連的鍵合焊盤接觸部下方的集成電路器件部分內，形成通道網絡。