[發明專利]一種用于太赫茲功率源器件的帶狀注陰極及其制備方法無效
| 申請號： | 201210090587.0 | 申請日： | 2012-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN102637568A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發明（設計）人： | 吳華夏;鄧清東;賀兆昌;宋田英;張麗 | 申請（專利權）人： | 安徽華東光電技術研究所 |
| 主分類號： | H01J23/05 | 分類號： | H01J23/05;H01J9/02 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107 | 代理人： | 張小虹 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 赫茲 功率 器件 帶狀 陰極 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于太赫茲功率源器件的帶狀注陰極，其特征在于：所述的帶狀注陰極包括陰極鉬筒(1)和壓制在陰極鉬筒(1)內部的陰極基底(2)，陰極鉬筒(1)的前端面設有狹縫帶(4)，陰極鉬筒(1)的后端安裝有避免陰極鹽蒸發物對器件造成污染的鉭蓋(3)，且陰極基底(2)的表面上設有一層貴金屬鍍膜。
2.根據權利要求1所述的一種用于太赫茲功率源器件的帶狀注陰極，其特征在于：所述的鉭蓋(3)通過激光焊的方式與陰極鉬筒(1)緊密焊接在一起。
3.根據權利要求1或2所述的一種用于太赫茲功率源器件的帶狀注陰極，其特征在于：所述的貴金屬鍍膜為鋨銥鋁膜，鋨銥鋁膜的厚度為0.3微米-0.6微米。
4.一種用于制備權利要求1或2所述的帶狀注陰極的方法，其特征在于：所述的制備方法包括，
1)將陰極基底(2)壓制在陰極鉬筒(1)的內部；
2)將通過步驟1)得到的陰極鉬筒(1)在氫氣中浸漬陰極鹽；
3)去除通過步驟2)得到的陰極鉬筒(1)表面殘余的鹽，并進行機械加工；
4)對步驟3)后得到的陰極基底(2)表面進行離子刻蝕，并鍍上一層貴金屬薄膜。
5)在陰極鉬筒(1)后端裝上鉭蓋(3)，陰極鉬筒(1)和鉭蓋(3)采用激光焊的方式緊密焊接在一起，使陰極除了發射狹縫帶(4)外處于一個密封狀態。
5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述的步驟2)具體為在氫氣氣氛中浸漬陰極鹽，且陰極鹽采用2.4BaO∶0.6CaO∶1Al2O3，并在1800℃-1850℃溫度下保溫40s-60s。
6.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于：所述的步驟4)中的為鋨銥鋁膜，其厚度為0.3微米-0.6微米。
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