[發明專利]功分寬帶全向輻射天線有效
| 申請號: | 201210090517.5 | 申請日: | 2012-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN102610903A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發明(設計)人: | 張煬;邱景輝;特尼格爾;郭文彬;張鵬宇 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | H01Q1/36 | 分類號: | H01Q1/36;H01Q1/52;H01Q19/10 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人: | 高媛 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 寬帶 全向 輻射 天線 | ||
技術領域
本發明涉及一種輻射天線,具體涉及一種功分寬帶全向輻射天線。
背景技術
現有的桿狀天線,如COCO天線在工作時存在因工作頻帶較窄僅能以單一系統工作,無法覆蓋多個工作頻帶,不易實現系統的天線共用,同時存在天線占有空間大,不易搬運和安裝,靈活性差的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種功分寬帶全向輻射天線,以解決現有天線因工作頻帶較窄而僅能以單一系統工作及天線占有空間大、靈活性差的問題。
本發明為解決上述技術問題采取的技術方案是:所述功分寬帶全向輻射天線包括同軸線,所述同軸線由芯線、絕緣介質層和屏蔽層組成,芯線的外表面包裹一層絕緣介質層,絕緣介質層的外表面包裹一層屏蔽層,所述功分寬帶全向輻射天線還包括第一金屬套筒、第二金屬套筒、扼流套筒、第三金屬套筒、金屬圓柱、金屬圓盤、功分金屬絲及四個金屬片,所述同軸線的一端與金屬圓盤的中心處固定連接,同軸線的另一端依次穿過第一金屬套筒、第二金屬套筒、扼流套筒和第三金屬套筒的中心并與金屬圓柱一端的中心固定連接,第二金屬套筒、扼流套筒、第三金屬套筒和金屬圓柱在同軸線上等距分布,第一金屬套筒與第二金屬套筒相鄰的一端、第二金屬套筒與扼流套筒相鄰的一端、扼流套筒和第三金屬套筒相鄰的一端、第三金屬套筒和金屬圓柱相鄰的一端分別固定連接有一金屬片,第一金屬套筒和第二金屬套筒之間設置有功分金屬絲,功分金屬絲的一端與第二金屬套筒固定連接,功分金屬絲的另一端固定連接在同軸線上。
本發明具有以下有益效果:本發明通過第一金屬套筒、第二金屬套筒、扼流套筒、第三金屬套筒的多級輻射結構及功分金屬絲設置,實現了頻帶的拓寬,達到多系統的天線共用的目的;本發明結構緊湊,占地面積小,一根同軸線代替并實現了以往天線的多根同軸線并用的功能,節省了天線的占有空間和成本造價,易安裝、便于攜帶且靈活性強;第一金屬套筒與第二金屬套筒組成第一級輻射單元,第三金屬套筒與金屬圓柱組成第二級輻射單元。扼流套筒設置的作用是隔離這兩級輻射電流的互相干擾。扼流套筒的長度為35毫米,乘以4對應的波長為140毫米,即是該天線中心工作頻率對應的波長。扼流套筒和同軸線的屏蔽層組成四分之一阻抗變換線,由于扼流套筒的上端和同軸線的屏蔽層連接,即是短路狀態,在扼流套筒的下端經過四分之一阻抗變換為開路狀態,阻止了第二金屬套筒和第三金屬套筒的表面電流流向對方,產生了隔離的效果;由于本發明工作時不是按照等比例進行電流分配的(第一級輻射結構的電流較大第二級輻射結構的電流較小),因此在頻率變化時最大輻射方向會發生變化,底部金屬圓盤由于反射可以提高最大輻射方向的穩定性,從而使本發明在工作頻帶內的輻射方向問題得到了改善。
附圖說明
圖1是本發明處于豎直設置時的剖面圖,圖2是本發明處于水平設置時的結構示意圖,圖3是圖1中A處的放大圖。
具體實施方式
具體實施方式一:結合圖1、圖2和圖3說明本實施方式,本實施方式所述功分寬帶全向輻射天線包括同軸線8,所述同軸線8由芯線8-1、絕緣介質層8-2和屏蔽層8-3組成,芯線8-1的外表面包裹一層絕緣介質層8-2,絕緣介質層8-2的外表面包裹一層屏蔽層8-3,所述功分寬帶全向輻射天線還包括第一金屬套筒1、第二金屬套筒2、扼流套筒3、第三金屬套筒4、金屬圓柱5、金屬圓盤6、功分金屬絲7及四個金屬片9,所述同軸線8的一端與金屬圓盤6的中心處固定連接,同軸線8的另一端依次穿過第一金屬套筒1、第二金屬套筒2、扼流套筒3和第三金屬套筒4的中心并與金屬圓柱5一端的中心固定連接,第二金屬套筒2、扼流套筒3、第三金屬套筒4和金屬圓柱5在同軸線8上等距分布,第一金屬套筒1與第二金屬套筒2相鄰的一端、第二金屬套筒2與扼流套筒3相鄰的一端、扼流套筒3和第三金屬套筒4相鄰的一端、第三金屬套筒4和金屬圓柱5相鄰的一端分別固定連接有一金屬片9,第一金屬套筒1和第二金屬套筒2之間設置有功分金屬絲7,功分金屬絲7的一端與第二金屬套筒2固定連接,功分金屬絲7的另一端固定連接在同軸線8上。
具體實施方式二:結合圖1和圖2說明本實施方式所述第二金屬套筒2與扼流套筒3之間、扼流套筒3與第三金屬套筒4之間、第三金屬套筒4與金屬圓柱5之間的距離均為2.5毫米。設置成這個距離使第二金屬套筒2、扼流套筒3、第三金屬套筒4和金屬圓柱5的發射電磁波信號的輻射作用最好,其它組成的連接關系與具體實施方式一相同。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈爾濱工業大學,未經哈爾濱工業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210090517.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





