[發(fā)明專利]一種防止鋁墊腐蝕的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210090329.2
• 申請(qǐng)日: 2012-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102637580A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡學(xué)清;鄭春生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/60
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種防止鋁墊腐蝕的方法。

背景技術(shù)

由于客戶需求的改變，或者后續(xù)封裝測(cè)試條件的變更，制造完的晶片難免需要長(zhǎng)時(shí)間的保存在庫(kù)房中，如圖1所示，為目前鋁墊制造到晶片出貨工藝流程示意圖，其工藝步驟依次為，對(duì)鋁墊薄膜進(jìn)行淀積；對(duì)淀積后的鋁墊進(jìn)行光刻；對(duì)鋁墊進(jìn)行刻蝕；對(duì)刻蝕后的鋁墊進(jìn)行鈍化層氧化膜淀積；在氧化膜上表面進(jìn)行鈍化層氮化膜淀積；對(duì)所淀積的鈍化層進(jìn)行光刻；對(duì)光刻后的鈍化層進(jìn)行刻蝕；退火；晶片允收測(cè)試；目檢；出貨。這就導(dǎo)致鋁墊有可能受到水汽或者鹵素等因素的影響而發(fā)生腐蝕。而一旦鋁墊發(fā)生腐蝕現(xiàn)象，意味著晶片有了可靠性的問(wèn)題。顯然，無(wú)論對(duì)于制造商還是客戶，鋁墊腐蝕產(chǎn)生的危害（例如晶片交期延誤，回追潛在風(fēng)險(xiǎn)晶片等）都是巨大的。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明公開(kāi)了一種防止鋁墊腐蝕的新方法。用以解決現(xiàn)有技術(shù)中鋁墊存放時(shí)間較長(zhǎng)會(huì)受到水汽或者鹵素等因素的影響而發(fā)生腐蝕的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種防止鋁墊腐蝕的新方法，包括：對(duì)鋁墊薄膜進(jìn)行淀積；對(duì)淀積后的鋁墊進(jìn)行光刻；對(duì)鋁墊進(jìn)行刻蝕；對(duì)刻蝕后的鋁墊進(jìn)行鈍化層氧化膜淀積；在氧化膜上表面進(jìn)行鈍化層氮化膜淀積；對(duì)所淀積的鈍化層進(jìn)行光刻；對(duì)光刻后的鈍化層進(jìn)行刻蝕；退火；晶片允收測(cè)試；目檢；出貨，其中，還包括工藝步驟為，在晶片允收測(cè)試工步與目檢工步之間實(shí)施對(duì)鋁墊進(jìn)行無(wú)定形碳淀積以及等離子體灰化和清洗。

上述的方法，其中，所述無(wú)定形碳淀積的淀積方式為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。

上述的方法，其中，所述無(wú)定形碳淀積的厚度為200至1000A。

本發(fā)明中一種防止鋁墊腐蝕的新方法，采用了如上方案具有以下效果：

1、有效地通過(guò)對(duì)鋁墊進(jìn)行無(wú)定形碳淀積以防止鋁墊受到水汽與鹵素等因素的影響；

2、同時(shí)大大的延長(zhǎng)了晶片的保存時(shí)間。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照如下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，發(fā)明的其它特征，目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯。

圖1為鋁墊制造到晶片出貨工藝流程的示意圖；

圖2為一種防止鋁墊腐蝕的新方法的工藝流程示意圖；

圖3為一種防止鋁墊腐蝕的新方法的無(wú)定形碳淀積的示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)造特征、達(dá)成目的和功效易于明白了解，下結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。

如圖2、3所示，一種防止鋁墊腐蝕的新方法，包括：對(duì)鋁墊薄膜進(jìn)行淀積；對(duì)淀積后的鋁墊進(jìn)行光刻；對(duì)鋁墊進(jìn)行刻蝕；對(duì)刻蝕后的鋁墊進(jìn)行鈍化層氧化膜淀積；在氧化膜上表面進(jìn)行鈍化層氮化膜淀積；對(duì)所淀積的鈍化層進(jìn)行光刻；對(duì)光刻后的鈍化層進(jìn)行刻蝕；退火；晶片1允收測(cè)試；目檢；出貨，其中，還包括工藝步驟為，在晶片1允收測(cè)試工步與目檢工步之間實(shí)施對(duì)鋁墊進(jìn)行無(wú)定形碳淀積2以及等離子體灰化和清洗，進(jìn)一步的，在當(dāng)晶片1進(jìn)行過(guò)無(wú)定形碳淀積2之后直接放入儲(chǔ)存庫(kù)進(jìn)行對(duì)晶片1的儲(chǔ)存，當(dāng)需要出貨的時(shí)候再對(duì)晶片1進(jìn)行等離子體灰化和清洗，更進(jìn)一步的，清洗的方式為濕法清洗。

在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，無(wú)定形碳淀積2的淀積方式為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。

在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，無(wú)定形碳淀積2的厚度為200至1000A，進(jìn)一步的，是為了能夠有效的隔絕鋁墊與外界水汽等因素的影響，防止腐蝕的發(fā)生。

在本發(fā)明的工藝步驟具體實(shí)施例中，對(duì)鋁墊薄膜進(jìn)行淀積；對(duì)淀積后的鋁墊進(jìn)行光刻；對(duì)鋁墊進(jìn)行刻蝕；對(duì)刻蝕后的鋁墊進(jìn)行鈍化層氧化膜淀積；在氧化膜上表面進(jìn)行鈍化層氮化膜淀積；對(duì)所淀積的鈍化層進(jìn)行光刻；對(duì)光刻后的鈍化層進(jìn)行刻蝕；退火；晶片1允收測(cè)試；對(duì)鋁墊進(jìn)行無(wú)定形碳淀積2；入庫(kù)存放；出庫(kù)；對(duì)晶片1進(jìn)行等離子體灰化和清洗；目檢；出貨，更進(jìn)一步的，如果在晶片1允收測(cè)試之后需要及時(shí)出貨的時(shí)候中間可以省去對(duì)鋁墊進(jìn)行無(wú)定形碳淀積2；入庫(kù)存放；出庫(kù)；對(duì)晶片1進(jìn)行等離子體灰化和清洗。

綜上所述，發(fā)明一種防止鋁墊腐蝕的新方法，有效地通過(guò)對(duì)鋁墊進(jìn)行無(wú)定形碳淀積以防止鋁墊受到水汽與鹵素等因素的影響，同時(shí)大大的延長(zhǎng)了晶片的保存時(shí)間。

以上對(duì)發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。