[發明專利]光刻裝置及光刻裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201210089896.6
• 申請日: 2005-08-02
• 公開（公告）號: CN102608876A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: M.尼伊霍夫
• 申請（專利權）人: 因芬尼昂技術股份公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;盧江

1.?一種光刻裝置，包括

光罩，具有多種結構，所述多種結構大體上在所述光罩上沿可預設的延伸方向延伸；

裝置，用于產生電磁輻射以及導引所述電磁輻射至所述光罩，其中所述電磁輻射至少部分相對于所述延伸方向被TM極化，使所述被TM極化的電磁輻射具有極化方向，所述極化方向與所述延伸方向呈90度角；

容納裝置，用于容納欲曝光的基材；以及

裝置，用于旋轉經由光罩穿透傳遞的至少部分TM極化的電磁輻射的極化方向，以形成TE極化的電磁輻射，其中所述用于旋轉極化方向的裝置設置于所述光罩與所述容納裝置之間；

其中所述電磁輻射被產生，使得只有所述光罩包含朝向主要方向的結構的區域被以極化的光曝光；以及

其中所述電磁輻射被產生，使得雙重曝光被執行，其中所述雙重曝光包含第一曝光步驟來曝光所述光罩的多個區域，該光罩具有朝向主要方向的結構，光被極化為與所述主要方向成90度，且所述雙重曝光包含第二曝光步驟來曝光所述光罩的其它區域，光被極化為獨立于所述光罩的結構的所述主要方向。

2.?根據權利要求1所述的光刻裝置，其中所述用于產生電磁輻射以及導引所述電磁輻射至所述光罩的裝置是配置成所述電磁輻射至少一部份在極化方向上被極化，所述極化方向位于所述光罩的表面上。

3.?根據權利要求1或2所述的光刻裝置，其中所述用于旋轉穿透光罩而傳遞的電磁輻射的極化方向的裝置配置成旋轉所述極化方向使得旋轉后的極化方向位于所述光罩的平面上。

4.?根據權利要求1或2所述的光刻裝置，其中所述用于旋轉穿透光罩而傳遞的電磁輻射的極化方向的裝置包括λ/4平板以及反射鏡。

5.?根據權利要求1或2所述的光刻裝置，其中所述用于旋轉穿透光罩而傳遞的電磁輻射的極化方向的裝置包括第一λ/4平板以及第二λ/4平板。

6.?根據權利要求1或2所述的光刻裝置，還包括基材，所述基材容納于所述容納裝置中，并配置成使來自所述旋轉極化方向的裝置的電磁輻射入射至所述基材上。

7.?根據權利要求6所述的光刻裝置，其中所述基材為半導體晶圓。

8.?根據權利要求7所述的光刻裝置，其中光阻層是在所述半導體晶圓上形成。

9.?根據權利要求1或2所述的光刻裝置，其中所述光刻裝置用作可見輻射光刻裝置、紫外線輻射光刻裝置或X射線輻射光刻裝置。

10.?一種光刻裝置的制造方法，包括下列步驟：

提供光罩，所述光罩具有的結構大體上在所述光罩上沿可預設延伸方向延伸；

提供一裝置，用于產生電磁輻射以及導引所述電磁輻射至所述光罩，所述電磁輻射至少部分相對于所述延伸方向被TM極化，使所述被TM極化的電磁輻射具有極化方向，所述極化方向與所述延伸方向呈90度角；

提供容納裝置，用于容納欲曝光的基材；

提供裝置，用于旋轉經由光罩穿透傳遞的至少部分TM極化的電磁輻射的極化方向為TE極化的電磁輻射的極化方向，其中所述用于旋轉極化方向的裝置設置于所述光罩與所述容納裝置之間，

其中所述電磁輻射被產生，使得只有所述光罩包含朝向主要方向的結構的區域被以極化的光曝光；以及

其中所述電磁輻射被產生，使得雙重曝光被執行，其中所述雙重曝光包含第一曝光步驟來曝光所述光罩的多個區域，所述光罩具有朝向主要方向的結構，光被極化為與所述主要方向成90度，且所述雙重曝光包含第二曝光步驟來曝光所述光罩的其它區域，光被極化為獨立于所述光罩的結構的所述主要方向。