[發(fā)明專利]發(fā)光二極管制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210089746.5 | 申請日： | 2012-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN103367563A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 賴志成 | 申請（專利權(quán)）人： | 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的制造方法，包括如下步驟：
提供一襯底，并在所述襯底的一側(cè)形成一磊晶層；
沿所述磊晶層的厚度方向進行蝕刻，使所述磊晶層形成若干晶粒，相鄰的晶粒之間形成一貫穿的溝槽；
提供若干電絕緣的隔離柱，將所述隔離柱放置在相應的溝槽中，并使其連接相鄰的晶粒；
在每一晶粒遠離襯底的一側(cè)表面上形成一阻障保護層；
在每一阻障保護層遠離襯底的一側(cè)表面涂設一錫膏層；
對所述晶粒進行回流焊，使所述每一晶粒的錫膏層形成錫球；
除去襯底并將晶粒放入溶液中浸泡至隔離柱消溶；
提供若干金屬片體，并通過焊接將這些片體分別焊接在對應晶粒的錫球上。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述隔離柱的下端填滿相應的溝槽，其上端超出所述晶粒遠離所述襯底的一端。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：每一隔離柱為絕緣負光阻的樹脂材料。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述回流焊的溫度控制在180~250℃。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：用于消溶所述隔離柱的溶液為堿性溶液或酸性溶液。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述溶液消溶所述隔離柱的反應溫度為100℃。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述金屬片體與所述晶粒的焊接溫度為300℃。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述阻障保護層為通過電鍍的方式形成于所述晶粒上的鎳層。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：在涂設錫膏層于晶粒之前，進一步包括如下步驟：
提供一開設有若干穿孔的擋板，并將這一擋板放置在所述晶粒的上方，此時，所述擋板的穿孔正對每一晶粒的遠離襯底一側(cè)的上表面，其它部分分別遮蓋隔離柱遠離襯底的頂面及磊晶層的周緣，然后在每一晶粒的上表面上涂設一錫膏層后去除擋板。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述磊晶層包括貼設于襯底的一N型氮化鎵層、貼設于N型氮化鎵層上方的一有源層及貼設于有源層上方的一P型氮化鎵層。
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