[發明專利]全背電極異質結太陽能電池

有效

• 申請號: 201210089491.2
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN103137767A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 吳德清;蕭睿中;陳建勛;林景熙;丁密特·薩哈雷夫·丁密措夫
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L31/075
• 分類號: H01L31/075;H01L31/0376
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 祁建國;梁揮

1.一種全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，包括：

一第一導電型硅基板，具有一受光面與一非受光面；

一第一非晶半導體層，位在該第一導電型硅基板的該受光面上，其中該第一非晶半導體層為本質半導體層或第一導電型層；

一第二非晶半導體層，位在該第一導電型硅基板的該非受光面上，其中該第二非晶半導體層為本質半導體層；

一第一導電型半導體層，位在該第二非晶半導體層上；

一第二導電型半導體層，位在該第二非晶半導體層上；以及

一第二導電型摻雜區，位在該第二導電型半導體層下方的該第一導電型硅基板內并與該第二非晶半導體層接觸。

2.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第二導電型摻雜區為p型摻雜區。

3.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第二導電型摻雜區的摻雜濃度在1e18cm^-3～1e21cm^-3之間。

4.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第二導電型摻雜區的結深度在0.001μm～10μm之間。

5.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第一導電型半導體層與該第二導電型半導體層互相隔離。

6.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第一導電型半導體層與該第二導電型半導體層部分重疊。

7.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第一導電型半導體層的材料包括非晶硅、非晶碳化硅、非晶硅鍺、微晶硅、微晶碳化硅或微晶硅鍺。

8.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第二導電型半導體層的材料包括非晶硅、非晶碳化硅、非晶硅鍺、微晶硅、微晶碳化硅或微晶硅鍺。

9.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第一非晶半導體層的材料包括非晶硅、非晶碳化硅或非晶硅鍺。

10.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第二非晶半導體層的材料包括非晶硅、非晶碳化硅或非晶硅鍺。

11.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，還包括一抗反射層，位在該第一非晶半導體層上。

12.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，還包括：

一第一電極，與該第一導電型半導體層接觸；以及

一第二電極，與該第二導電型半導體層接觸。

13.如權利要求12所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第一電極完全覆蓋或部分覆蓋該第一導電型半導體層。

14.如權利要求12所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第二電極完全覆蓋或部分覆蓋該第二導電型半導體層。

15.如權利要求12所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第一電極至少包括一透明導電氧化物(TCO)層與一金屬層。

16.如權利要求12所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該第二電極至少包括一透明導電氧化物層與一金屬層。

17.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，還包括一絕緣層，位在該第一導電型半導體層與該第二導電型半導體層之間的該第二非晶半導體層上。

18.如權利要求1所述的全背電極異質結太陽能電池，其特征在于，該絕緣層的材料包括高分子材料、二氧化硅或氮化硅。