[發明專利]一種實現電壓檢測的裝置和方法有效
| 申請號: | 201210089303.6 | 申請日: | 2012-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN102624370A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 徐肯;張建強 | 申請(專利權)人: | 廣州市廣晟微電子有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/22 | 分類號: | H03K17/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明;王寶筠 |
| 地址: | 510630 廣東省廣州市天*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 實現 電壓 檢測 裝置 方法 | ||
1.一種實現電壓檢測的裝置,其特征在于,輸入電壓由地電壓開始上升,所述裝置包括:
電壓檢測模塊(200),用于對輸入電壓的檢測,當輸入電壓由地電壓上升到預設電壓時,電壓檢測模塊的輸出狀態發生翻轉;
輸出模塊(201),用于對電壓檢測模塊的輸出進行緩沖,將緩沖后的輸出作為所述裝置的輸出;
控制模塊(202),用于當檢測到輸出模塊的輸出狀態翻轉的情況下,開啟自鎖開關對輸出模塊的輸出進行鎖定;
啟動模塊(203),在輸入電壓上升的初始階段,形成一個電壓檢測模塊的輸出端到輸入電壓的低阻抗通路,用于關閉控制模塊中的自鎖開關和開啟電壓檢測模塊,使裝置進入正常的電壓檢測工作狀態。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,電壓檢測模塊包括第二NMOS管和第三NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管;
第一PMOS管的源極耦合到輸入電壓,第一PMOS管的柵極和漏極、第三NMOS管的柵極耦合到第一節點(301);第二PMOS管的源極耦合到第二節點(303);第二NMOS管的源極和第二PMOS管的柵極耦合到地電壓,第二NMOS管的柵極和漏極以及第三NMOS管的源極耦合到第三節點(305),第三NMOS的漏極與第二PMOS管的漏極耦合到電壓檢測模塊的輸出節點(304)。
3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,電壓檢測裝置還包括一電阻;所述電阻耦合在第一節點(301)和第四節點(302)之間。
4.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,輸出模塊包括第四PMOS管和第五NMOS管;
所述第四PMOS管和第五NMOS管組成一個反相器,反相器的輸入端為電壓檢測模塊的輸出節點(304),反相器的輸出端為輸出模塊的輸出節點(306),第四PMOS管的源極與輸入電壓耦合,第五NMOS管的源極與地電壓耦合。
5.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,控制模塊包括第四NMOS管;第四NMOS管的源極和第四節點(302)耦合到地電壓,第四NMOS管的漏極耦合到電壓檢測模塊的輸出節點(304),第四NMOS管的柵極耦合到輸出模塊的輸出節點(306),第二節點(303)耦合到輸入電壓。
6.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,控制模塊進一步用于當檢測到所述裝置輸出模塊的輸出狀態翻轉的情況下,對所述裝置斷電。
7.根據權利要求6所述的裝置,其特征在于,控制模塊包括第一、第四NMOS管和第三PMOS管;
第一和第四NMOS管的源極耦合到地電壓,第一NMOS管的柵極和第四NMOS管的漏極耦合到電壓檢測模塊的輸出節點(304),第一NMOS管的漏極耦合到第四節點(302),與電壓檢測模塊相連,第四NMOS管的柵極和第三PMOS管的柵極耦合到輸出模塊的輸出節點(306),第三PMOS管的源極耦合到輸入電壓,其漏極耦合到第二節點(303),與電壓檢測模塊相連。
8.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,啟動模塊包括一電容;所述電容的一端耦合到輸入電壓,另一端耦合到電壓檢測模塊的輸出節點(304)。
9.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,該裝置還包括:在電源檢測模塊的輸出端和輸出模塊的輸出端之間插入延時電路。
10.一種實現電壓檢測的裝置,其特征在于,輸入電壓由地電壓開始上升,所述裝置包括:第一、第二、第三、第四和第五NMOS管、第一、第二、第三和第四PMOS管、一電容和一電阻;
第一、第三和第四PMOS管的源極、所述電容的一端均耦合到輸入電壓,第一PMOS管的柵極和漏極、第三NMOS管的柵極耦合到所述電阻的一端;第一NMOS管的漏極耦合到所述電阻的另一端;第二PMOS管的源極耦合到第三PMOS管的漏極;第二PMOS管的柵極、第一、第二、第四和第五NMOS管的源極耦合到地電壓,第二NMOS管的柵極和漏極耦合到第三NMOS管的源極;第二PMOS管、第三和第四NMOS管的漏極、第四PMOS管、第一和第五NMOS管的柵極耦合到所述電容的另一端;第三PMOS管和第四NMOS管的柵極、第四PMOS管的漏極耦合到第五NMOS管的漏極,作為裝置的輸出端。
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