[發(fā)明專利]發(fā)光二極管組件、發(fā)光二極管封裝結構及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210089247.6 | 申請日: | 2012-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN102646769A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李嬌;李春娥 | 申請(專利權)人: | 達亮電子(蘇州)有限公司;隆達電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/38 | 分類號: | H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215021 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光二極管 組件 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明關于一種發(fā)光二極管,特別關于一種發(fā)光二極管組件、其封裝結構,以及其制造方法。
背景技術
現有的發(fā)光二極管是在基板上設置磊晶堆棧結構,此磊晶堆棧結構由N型半導體層、多量子阱層(Multiple?Quantum?Wells,MQW)及P型半導體層依序層疊而成。當N型半導體層及P型半導體層被施予電壓時,可驅使電子空穴對于多量子阱層中結合,以放射光線。
一般而言,N型半導體層與P型半導體層上分別設有N型電極及P型電極。為了方便電極以打線方式連接到導線架,這兩種電極均暴露于發(fā)光二極管的同一側。P型電極位在P型半導體層表面上,另由于N型半導體層被多量子阱層與P型半導體層所覆蓋,故為了在N型半導體層上設置N型電極,則勢必得將N型電極所在區(qū)域上方的多量子阱層及P型半導體層蝕刻掉。
這么一來,由于多量子阱層與P型半導體層的面積減少,必然會造成發(fā)光面積的降低,而進一步降低發(fā)光二極管的發(fā)光效率。再者,發(fā)光二極管上的電極與導線架以打線方式電性連接,存有斷線的風險。
發(fā)明內容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管組件,其無需為了暴露電極而蝕刻掉半導體層及發(fā)光層(例如:多量子阱層),故可有效克服以上現有技術所遭遇到的困難。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種發(fā)光二極管封裝結構,其無需在發(fā)光二極管組件的出光面設置電極,且電極與導線架之間不需打線,故可省去打線制程,并避免電極以及其所連接的導線吸收發(fā)光二極管組件的部分光線,從而進一步提高發(fā)光效率。
為了達到上述目的,依據本發(fā)明的一實施方式,一種發(fā)光二極管組件,包含:半導體磊晶堆棧結構,具有相對的底面與上表面,以及具有相對的第一側面與第二側面;第一電極,位于該半導體磊晶堆棧結構的該第一側面;以及第二電極,位于該半導體磊晶堆棧結構的該底面下。
優(yōu)選的,該發(fā)光二極管組件更包含第一絕緣層覆蓋該第一側面未被該第一電極所占據的區(qū)域。
優(yōu)選的,該發(fā)光二極管組件更包含第二絕緣層覆蓋該第二側面。
優(yōu)選的,該發(fā)光二極管組件更包含鈍化層覆蓋該底面未被該第二電極所占據的區(qū)域及該第二電極的兩側裸露的側壁,且鄰接該第一絕緣層與該第二絕緣層。
優(yōu)選的,該鈍化層由絕緣層或半導體基板所構成。
優(yōu)選的,該半導體基板為藍寶石基板或含硅基板。
優(yōu)選的,該半導體磊晶堆棧結構包含依序由下往上堆棧的第二半導體層、發(fā)光層與第一半導體層,該第一電極是位在該第一半導體層的側面,該第二電極是位在該第二半導體層的底面下。
優(yōu)選的,該第一半導體層是N型半導體層,該第一電極為N極,該第二半導體層是P型半導體層,該第二電極為P極,或者該第一半導體層是P型半導體層,該第一電極為P極,該第二半導體層是N型半導體層,該第二電極為N極。
優(yōu)選的,該N型半導體層是由摻雜有N型雜質的氮化物半導體所構成,該P型半導體層是由摻雜有P型雜質的氮化物半導體所構成。
依據本發(fā)明之又一實施方式,一種發(fā)光二極管封裝結構,包含:如上所述的發(fā)光二極管組件;第一導線架,電性連接該發(fā)光二極管組件的該第一電極;第二導線架,電性連接該發(fā)光二極管組件的該第二電極;以及封裝體,包覆該發(fā)光二極管組件、該第一導線架以及該第二導線架。
優(yōu)選的,該第一導線架與該第二導線架的水平面高度不同,且彼此之間具有間距。
優(yōu)選的,該第一導線架具有第一延伸部從該封裝體的一側朝向該半導體磊晶堆棧結構的該第一側面延伸,該第一延伸部的端面電性耦合該第一電極。
優(yōu)選的,所述的發(fā)光二極管封裝結構更包含第一導電固晶膠,黏附于該第一電極與該第一延伸部的該端面之間;其中該第一延伸部的該端面具有導電膠槽,而該第一導電固晶膠填充于該導電膠槽內。
優(yōu)選的,該第二導線架具有第二延伸部從該封裝體的另一側朝向該半導體磊晶堆棧結構的該第二側面所延伸并位于該半導體磊晶堆棧結構的下方而用以承載該第二電極。
優(yōu)選的,所述的發(fā)光二極管封裝結構更包含第二導電固晶膠,黏附該第二電極于該第二導線架的表面上。
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