[發(fā)明專利]雙層多晶柵溝槽型MOS晶體管的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210089210.3 | 申請日： | 2012-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN103367150A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 邵向榮;王永成 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 劉昌榮 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 雙層 多晶 溝槽 mos 晶體管 制備 方法 | ||
1.雙層多晶柵溝槽型MOS晶體管的制備方法，其特征在于，在溝槽內(nèi)生長第一層氧化層后，生長柵極氧化層前，包括有以下工藝步驟：
1)淀積氮化硅；
2)沉積第一層多晶硅；
3)回刻第一層多晶硅，并在回刻至第一層氧化層表面后上光刻膠，擋住第一層多晶硅引出區(qū)域，然后繼續(xù)回刻，直至超過垂直溝道區(qū)域；
4)去光阻，在第一層多晶硅表面生長第二層氧化層；
5)刻蝕掉溝槽側(cè)壁位于第二層氧化層上方的氮化硅和第一層氧化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一層氧化層的厚度為1000～
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)，采用化學(xué)氣相沉積方法淀積氮化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述氮化硅的厚度為200～
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)，上光刻膠后的回刻深度為0.8～1.2μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4)，通過濕法氧化生長第二層氧化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二層氧化層的厚度為4000～
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5)，采用濕法刻蝕方法。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，步驟5)，氮化硅和第一層氧化層的過刻蝕量小于30％。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
