[發明專利]一種溝槽隔離方法

無效

• 申請號: 201210089209.0
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN103367228A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 叢茂杰;康志瀟;陳正嶸
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種溝槽隔離方法，其特征是，包括：

(1)單晶硅上第一次刻蝕溝槽；

(2)進行側墻介質膜生長；

(3)側墻介質膜回刻蝕，去除部分側墻介質膜，使溝槽形成上口寬度大，下口寬度小的傾斜結構；

(4)在溝槽底部進行第二次刻蝕溝槽；

(5)溝槽內介質膜生長；

(6)硅片表面介質膜化學機械研磨。

2.如權利要求1所述的溝槽隔離方法，其特征是：在步驟(4)和(5)之間，還具有步驟(A)在溝槽內熱氧化膜生長。

3.如權利要求1或2所述的溝槽隔離方法，其特征是：實施步驟(1)時，刻蝕形成的溝槽深度為設計溝槽深度的1/10～1/2。